IXCP30M35 时间：2025/8/6 2:35:58 阅读：10

IXCP30M35是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET模块，专为高效率功率转换应用而设计。该器件采用了先进的MOSFET技术和坚固的封装结构，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。IXCP30M35具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于工业电源、电机驱动、不间断电源（UPS）以及可再生能源系统等应用。该模块的额定电压为350V，连续漏极电流可达30A，确保在高负载条件下仍能保持稳定的性能。

参数

类型：MOSFET模块
　　最大漏源电压（VDS）：350V
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为50mΩ
　　栅极电荷（Qg）：典型值为90nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247AC
　　安装类型：通孔
　　引脚数：3
　　功率耗散：125W

特性

IXCP30M35采用了IXYS先进的MOSFET技术，具备低导通电阻和高开关速度的特性，使其在高频开关应用中表现出色。该模块的低RDS(on)值（典型50mΩ）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有优异的热性能，能够有效地将热量传导至散热器，确保在高负载条件下的稳定运行。
　　IXCP30M35的封装设计采用了高可靠性的材料，确保在恶劣环境下仍能保持长期稳定的工作性能。其高耐压能力（350V）和高电流承载能力（30A）使其适用于多种高功率应用场景。该模块还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受过载电流而不损坏。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低（典型值为90nC），有助于减少开关损耗，提高系统的整体效率。同时，其快速的开关特性使其适用于高频变换器和逆变器应用，如DC-DC转换器、AC-DC电源模块以及电机控制电路。