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TS512MSH72V4H 发布时间 时间:2025/7/25 17:20:52 查看 阅读:7

TS512MSH72V4H 是一款由 Micron Technology 生产的高性能 DDR4 SDRAM 内存模块。该模块专为服务器和高性能计算(HPC)应用设计,具有高带宽、低功耗和高可靠性等优点。TS512MSH72V4H 的容量为 512GB,采用 72 位总线宽度(ECC 版本),支持 DDR4 标准的内存技术。

参数

容量:512GB
  内存类型:DDR4 SDRAM
  总线宽度:72 位(ECC)
  电压:1.2V
  时钟频率:2666MHz
  数据速率:2666MT/s
  CL(CAS 延迟):19
  行地址位数:A0-A15
  列地址位数:A0-A9
  ECC 支持:是
  模块类型:RDIMM
  工作温度:0°C 至 85°C

特性

TS512MSH72V4H 内存模块具备多项先进特性,确保其在高性能计算环境中的稳定性和可靠性。
  首先,该模块采用了 DDR4 SDRAM 技术,相比前代 DDR3 内存,DDR4 具有更低的工作电压(1.2V),从而降低了功耗和热量生成。同时,DDR4 的数据传输速率更高,TS512MSH72V4H 可以达到 2666MT/s 的数据速率,提供更高的内存带宽,满足服务器和数据中心对数据处理速度的需求。
  其次,该模块支持 ECC(Error Correction Code)功能,能够检测并纠正单比特内存错误,避免因内存错误导致的系统崩溃或数据损坏,提升系统的稳定性和可靠性。ECC 功能对于需要长时间运行的关键任务应用(如数据库服务器、虚拟化平台等)尤为重要。
  此外,TS512MSH72V4H 是 RDIMM(Registered DIMM)类型内存,内置寄存器芯片,能够减少内存控制器的负载,提高内存寻址的稳定性,尤其适用于多通道内存架构和高容量内存配置。RDIMM 类型内存在服务器主板上更为常见,支持更大的内存扩展能力。
  该模块还支持多种低功耗模式,包括自刷新(Self-Refresh)和深度掉电模式(Deep Power-Down),在系统空闲或负载较低时自动降低功耗,延长系统寿命并降低运行成本。
  最后,TS512MSH72V4H 的工作温度范围为 0°C 至 85°C,适用于各种严苛的环境条件,能够在服务器机房等高温环境下稳定运行。

应用

TS512MSH72V4H 主要应用于高性能计算、企业级服务器、云计算和大数据处理等领域。
  作为一款高容量、高可靠性的 DDR4 ECC RDIMM 内存模块,TS512MSH72V4H 非常适合用于需要大量内存和高稳定性的服务器系统。例如,在企业级数据库服务器中,该模块可以提供足够的内存容量和带宽,以支持大规模并发访问和复杂查询操作;在虚拟化环境中,高内存容量可以支持更多的虚拟机实例运行,提升资源利用率和性能;在高性能计算(HPC)和人工智能(AI)训练任务中,TS512MSH72V4H 的高速数据传输能力可以加速计算任务的完成,提高整体系统效率。
  此外,该模块还适用于存储服务器、网络设备和数据中心基础设施设备,提供可靠的内存解决方案,确保系统长时间稳定运行。

替代型号

MT512G72PZ-26AAX1, HMA512R7AFR4N-UH