PQ2TZ15UJ00H 时间：2025/8/28 8:12:22 阅读：3

PQ2TZ15UJ00H是一款由罗姆（Rohm）公司生产的N沟道功率MOSFET，适用于需要高效率和高性能的电源管理系统。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和优秀的热稳定性，适合用于DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。其封装形式为小型化的SOT-23，便于在高密度PCB设计中使用。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：12V
　　连续漏极电流（Id）：100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：1.5Ω（@Vgs=4.5V）
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

PQ2TZ15UJ00H具备多个突出的电气和物理特性。首先，其较低的导通电阻（Rds(on)）可以显著减少导通损耗，提高电源转换效率。其次，该MOSFET具有快速的开关特性，适合高频操作，从而有助于减小外部滤波元件的尺寸。此外，它具有良好的热稳定性，能够在较高的温度环境下稳定运行，适用于工业级应用。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，在4.5V至12V之间均可正常工作，使其适用于多种控制电路。其SOT-23封装不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，能够在紧凑的设计中保持良好的可靠性。此外，PQ2TZ15UJ00H还具备较强的抗静电能力和过载保护能力，确保在复杂电磁环境中稳定运行。

应用

PQ2TZ15UJ00H广泛应用于各种电子设备中，尤其是在需要高效功率管理的场景。典型应用包括便携式电子设备中的负载开关控制、DC-DC升压/降压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及各种小型电源模块。由于其高频响应和低导通电阻特性，该MOSFET也常用于音频放大器和LED驱动电路中的功率调节部分。
　　此外，PQ2TZ15UJ00H在工业自动化设备、传感器模块和物联网（IoT）设备中也有广泛应用。其紧凑的封装形式和优异的电气性能使其成为对空间和能效要求较高的应用场合的理想选择。