时间：2025/8/6 8:51:24
阅读：30
IXBK64N250是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用。这款MOSFET采用了先进的平面技术，提供了出色的导通和开关性能。IXBK64N250具有250V的漏极-源极击穿电压，最大连续漏极电流可达64A。它广泛应用于工业电源、电机控制、焊接设备和不间断电源（UPS）等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：250V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：64A
导通电阻(Rds(on))：约0.035Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXBK64N250具备低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率。该器件采用先进的平面工艺技术，确保了优异的导通和开关性能。
其高电流容量和低Rds(on)特性使其适用于高功率应用，如工业电源、电机控制和焊接设备。
此外，IXBK64N250具有良好的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作，并具有较强的过载能力。
它的高栅极绝缘能力和宽温度范围使得该MOSFET在各种苛刻条件下都能保持可靠的性能。
该器件的TO-247封装设计有助于良好的散热管理，确保在高功率操作下的稳定性。
IXBK64N250广泛应用于多个高功率电子系统中，包括工业电源、电机驱动器、焊接机、不间断电源（UPS）以及电力转换系统。其高电压和大电流特性也使其适用于直流电源转换器、电池充电系统以及大功率放大器。在工业自动化和电力电子设备中，IXBK64N250常用于实现高效的功率控制和能量转换。
STP64NF25, FDP6436H, IRFP4668
