您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > W979H6KBVX2E

W979H6KBVX2E 发布时间 时间:2025/8/21 5:34:35 查看 阅读:4

W979H6KBVX2E 是由 Winbond(华邦电子)生产的一款高性能、低功耗的 DDR3 SDRAM(同步动态随机存取存储器)芯片。该芯片主要面向高端嵌入式系统、工业控制、网络设备以及消费类电子产品。W979H6KBVX2E 采用 512Mb x16 的组织结构,总容量为 8Gb(256MB),支持高速数据传输和多种节能模式,适合对性能和功耗都有较高要求的应用场景。

参数

容量:8Gb(256MB)
  组织结构:512Mb x16
  电压:1.35V(低电压 DDR3)
  封装:BGA
  数据速率:最高支持 800Mbps
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:DDR3 SDRAM
  时钟频率:最高 400MHz(等效 800Mbps)
  刷新周期:64ms

特性

W979H6KBVX2E 具备多项先进特性,以满足现代嵌入式系统对高性能与低功耗的需求。首先,该芯片采用低电压 DDR3(LVDDR3)技术,工作电压为 1.35V,相比标准 DDR3 的 1.5V 显著降低了功耗,特别适合便携式设备和嵌入式应用。其数据传输速率可达 800Mbps,支持快速的内存访问,从而提升系统整体性能。
  W979H6KBVX2E 支持多种节能模式,包括自刷新(Self-Refresh)、深度掉电模式(Deep Power-Down)等,有助于进一步优化功耗。此外,芯片内置温度传感器,支持自动温度补偿刷新(ATR),确保在不同工作温度下的数据稳定性。
  该芯片采用紧凑的 BGA 封装,适用于空间受限的设计,并具备良好的热管理和电气性能。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,满足工业级标准,适用于严苛环境下的应用。此外,W979H6KBVX2E 还支持 JEDEC 标准的 DDR3 功能,如突发长度控制、延迟锁定环(DLL)校准、写入校准等,确保数据传输的可靠性和稳定性。

应用

W979H6KBVX2E 适用于多种高性能嵌入式与工业应用。常见的应用场景包括网络设备(如路由器和交换机)、工业控制模块、智能家电、数字标牌、视频监控系统、便携式医疗设备以及高端消费类电子产品。由于其低功耗和高稳定性,该芯片也常用于需要长时间运行和高数据吞吐量的系统中。

替代型号

W979H6KBHX2E, W979H6KBVX2AI, MT48LC16M16A2B4-6A, K4B4G1646Q

W979H6KBVX2E推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

W979H6KBVX2E参数

  • 现有数量0现货
  • 价格168 : ¥46.14399托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度-25°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳134-VFBGA
  • 供应商器件封装134-VFBGA(10x11.5)