IXBH10N170 时间：2025/8/6 9:31:34 阅读：29

IXBH10N170是一款由IXYS公司制造的高压、大功率MOSFET晶体管。该器件设计用于需要高电压操作和高效能切换的应用，例如电源转换器、逆变器和电机控制。其主要特点是具备高阻断电压（1700V）和相对较大的连续漏极电流（10A），使其适用于高功率密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏-源电压（VDS）：1700V
　　最大栅-源电压（VGS）：±30V
　　最大连续漏极电流（ID）：10A
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-264

特性

IXBH10N170具有高电压阻断能力，支持高达1700V的漏-源电压，使其适合用于高电压应用。该器件的漏极电流额定值为10A，可以支持中等功率水平的切换需求。
　　此外，其栅-源电压范围为±30V，为设计提供了更大的灵活性，并减少了栅极驱动电路的设计复杂度。工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，使其能够在极端环境条件下可靠运行。
　　该MOSFET采用TO-264封装，具有良好的热管理和电气性能，便于在PCB上安装和散热管理。此外，该器件具备快速开关特性，可降低开关损耗并提高整体系统效率，这在高频切换应用中尤为重要。
　　在可靠性方面，IXBH10N170具备较强的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在突发性高电压或大电流情况下保持稳定运行。

应用

IXBH10N170广泛应用于需要高电压和中等电流能力的电力电子系统中。例如，在工业电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电机驱动器以及高压DC-DC转换器中都有广泛应用。
　　在太阳能逆变器中，该器件可用于DC到AC的转换环节，其高电压阻断能力和快速开关特性有助于提高系统的整体能效。在电机控制应用中，IXBH10N170可用于实现高效的脉宽调制（PWM）控制，从而优化电机性能并降低能耗。
　　此外，在工业自动化和电机驱动系统中，该MOSFET可用于构建H桥电路以实现电机的双向控制。同时，它也可用于构建高压开关电源，适用于需要稳定输出电压的工业设备供电场景。