CL21B334KAFNNNE 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 X7R 温度特性系列,广泛应用于需要高稳定性和高容值的电路中。该型号采用了贴片封装,适合表面贴装技术 (SMT),具有良好的电气性能和可靠性,适用于消费电子、通信设备、工业控制等领域的去耦、滤波和信号耦合场景。
CL21 表示其为 C 系列电容器,B 代表 X7R 温度特性 (-55°C 至 +125°C,温度系数 ±15%),334 表示标称容量为 0.33μF(330nF),K 表示容差为 ±10%,A 表示额定电压为 6.3V,后续字母表示尺寸代码和端电极材料。
标称容量:0.33μF
容差:±10%
额定电压:6.3V
温度特性:X7R (-55°C 至 +125°C,±15%)
封装类型:0805
电极材料:Ni/Pd/Au
绝缘电阻:≥1000MΩ
损耗角正切:≤0.015
CL21B334KAFNNNE 的主要特点是高稳定性、低ESR(等效串联电阻)和高可靠性。它能够在较宽的温度范围内保持稳定的电容值,并且在高频条件下仍能表现出良好的性能。此外,由于其采用了 X7R 介质,因此即使在直流偏置下,电容值的变化也相对较小。
该型号的 0805 封装使其能够承受较高的机械应力,并提供较大的焊盘面积以增强焊接牢固性。同时,镍钯金端电极材料提高了抗氧化能力,延长了使用寿命。
其典型应用场景包括电源去耦、高频滤波器、音频信号耦合以及射频电路中的匹配网络等。这些应用得益于其出色的频率特性和温度稳定性。
CL21B334KAFNNNE 常用于各种电子设备中,特别是在需要高可靠性和稳定性的场景。具体应用包括但不限于:
- 电源电路中的去耦电容,用于减少电源噪声并确保供电稳定性。
- 音频放大器中的耦合电容,用于隔直通交以传递音频信号。
- 射频模块中的匹配网络组件,用于优化输入输出阻抗以提高传输效率。
- 滤波器设计中的关键元件,用于抑制特定频率范围内的干扰信号。
- 数据通信接口中的旁路电容,用以降低数字信号的高频噪声影响。
CL21B334KAFNNEE
GRM21BR61E334KE15
CC0805X7R1C334K120AA