工作电压范围：10V至20V
　　输出电流能力：高端和低端均为±4.0A（峰值）
　　传输延迟时间：典型值为45ns
　　输出驱动电压范围：从VCC到VS的范围
　　欠压锁定保护（UVLO）：各通道独立保护
　　封装形式：28引脚SSOP和SOIC封装
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

IX2647CE具有高驱动能力，每个通道的高端和低端驱动器均可提供高达±4.0A的峰值输出电流，能够快速驱动大功率MOSFET和IGBT器件，从而提高开关效率并降低开关损耗。该芯片采用了高压CMOS技术，具有优异的抗dv/dt能力，确保在高噪声环境下仍能稳定运行。每个通道都配备了独立的欠压锁定（UVLO）功能，当电源电压低于设定阈值时，驱动器将自动关闭输出，防止功率器件因驱动不足而损坏。此外，IX2647CE的两个通道之间具有高度匹配的传输延迟，确保上下桥臂之间的同步性，减少死区时间，提高系统效率。芯片内部还集成了自举二极管，简化了外部电路设计。
　　IX2647CE支持多种功率拓扑结构，如半桥、全桥、同步降压等，广泛应用于DC-AC逆变器、电机驱动器、开关电源、UPS系统等领域。其28引脚SSOP或SOIC封装形式，便于PCB布局和散热设计，适用于高密度和高性能的电源系统。此外，该芯片的低静态电流设计有助于降低系统功耗，提高整体能效。

IX2647CE主要用于需要高效驱动功率MOSFET和IGBT的应用场景，例如DC-AC逆变器、电机驱动控制器、同步整流电源、不间断电源（UPS）、电池充电器、工业自动化设备、LED驱动电源等。在这些应用中，IX2647CE能够提供可靠的驱动能力和良好的系统稳定性，适用于高频开关环境下的功率转换系统。由于其双通道结构和高端/低端驱动能力，该芯片特别适合用于H桥拓扑结构的电机控制和逆变器设计，能够有效提升系统的响应速度和效率。此外，在新能源领域如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，IX2647CE也能发挥重要作用。

IX2648CE, IRS2647M, IR2110, TC4429