时间：2025/12/28 21:08:22
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IXA065JB 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率开关电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和逆变器等应用场景。IXA065JB 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适用于工业级工作温度范围。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：650V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id：50A
导通电阻 Rds(on)：0.065Ω（最大）
功耗（Ptot）：180W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
IXA065JB 的核心优势在于其低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力。该器件的最大漏源电压可达 650V，使其适用于高压电源转换应用，如开关电源（SMPS）、太阳能逆变器和工业电机驱动。其低导通电阻（仅 0.065Ω）有效降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。
此外，IXA065JB 具有良好的热稳定性和高电流承载能力，能够支持高达 50A 的连续漏极电流。这种性能使其在需要高功率密度的设计中表现优异，同时降低了对散热器的需求，有助于缩小整体电路体积。
该 MOSFET 还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下提供更高的可靠性和耐用性。其栅极驱动电压范围宽泛，支持与多种驱动电路的兼容性，便于设计工程师灵活使用。
IXA065JB 常用于高功率开关电路中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电机驱动器和工业自动化设备。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高压直流应用中功率转换的理想选择。此外，该器件也适用于需要高可靠性和高效率的家电控制电路，如电磁炉和变频空调系统。
IXFH50N65B3, IXFN50N65B3, IRFP4668
