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IX4R11S3 发布时间 时间:2025/8/6 7:24:46 查看 阅读:22

IX4R11S3 是一款由 IXYS 公司推出的双极型晶体管(BJT)阵列芯片,适用于多种电源管理和功率控制应用。该器件集成了两个独立的晶体管,提供高可靠性与出色的热性能,广泛用于工业控制、电机驱动、开关电源以及汽车电子等领域。IX4R11S3 的设计旨在简化电路布局并提高系统效率,适用于高功率和高频操作。

参数

类型:双极型晶体管(BJT)
  结构:NPN + PNP
  集电极-发射极电压(Vce):80V
  最大集电极电流(Ic):1.5A
  功耗(Pd):25W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220
  增益(hFE):100 - 800(根据电流和电压条件)

特性

IX4R11S3 提供了一对互补型晶体管,包括一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,适用于推挽放大器、电平转换电路和驱动电路等应用场景。该器件采用高热效封装,有助于散热,从而在高负载条件下保持稳定运行。其高击穿电压特性使其适用于多种中功率应用,能够在较高电压下安全工作。此外,IX4R11S3 具有良好的线性度和开关特性,适用于模拟和数字电路中的信号放大和切换操作。

应用

IX4R11S3 常用于工业自动化设备中的电机驱动电路、功率开关、电平转换器以及音频放大器的输出级。其互补结构也使其非常适合用于 H 桥驱动电路、DC-DC 转换器和 LED 驱动电路。此外,该晶体管阵列在汽车电子系统中也得到了广泛应用,例如车灯控制模块、电动窗驱动电路以及车载音频系统。

替代型号

IX4R11S2, 2SC2647 / 2SA1010(互补对管)

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IX4R11S3参数

  • 标准包装230
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置半桥
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间120ns
  • 电流 - 峰4A
  • 配置数1
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)650V
  • 电源电压10 V ~ 35 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装16-SOIC
  • 包装