产品系列：InnoSwitch3-EP
　　集成开关：740 V PowiGaN? 功率MOSFET
　　控制方式：准谐振反激式控制器
　　拓扑结构：反激式转换器
　　工作模式：CCM/DCM自适应
　　输入电压范围：90 VAC 至 265 VAC（通用交流输入）
　　输出功率能力：最高可达90 W
　　开关频率：典型值100 kHz，可变频率调制
　　反馈机制：FluxLink? 磁感通信技术（无光耦）
　　同步整流：集成次级侧同步整流驱动
　　保护功能：过载保护（OLP）、过温保护（OTP）、输出短路保护（SCP）、输入欠压/过压保护
　　封装类型：ISOPackage-28D
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　热关断温度：典型值150°C
　　导通电阻RDS(on)：典型值450 mΩ（使用PowiGaN技术）
　　待机功耗：<30 mW（典型值，满足能源之星标准）
　　效率表现：>94%（典型应用条件下）

PK5E6BA采用了Power Integrations先进的InnoSwitch3架构，结合了高效的准谐振（QR）反激控制技术和创新的FluxLink?数字磁感通信技术，实现了初级侧与次级侧之间高速、可靠的信号传输，消除了传统光耦合器带来的老化、漂移和可靠性问题。该器件内部集成了一个740V的PowiGaN?氮化镓功率MOSFET，相较于传统的硅基MOSFET，具有更低的导通电阻和更高的开关速度，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了整体电源效率并允许更高的功率密度设计。其自适应多模式控制引擎能够根据负载条件自动在连续导通模式（CCM）和非连续导通模式（DCM）之间切换，优化不同负载下的能效表现，尤其是在轻载和空载时仍能维持高效率和极低的待机功耗，符合国际能效标准如Energy Star和DoE Level VI。此外，PK5E6BA具备出色的动态负载响应能力，能够在输出负载快速变化时迅速调整占空比，保持输出电压稳定，适用于对电源稳定性要求较高的应用场景。芯片还集成了全面的保护功能，所有保护机制均采用自动恢复模式或锁存关断方式，有效防止因瞬态故障导致的永久性损坏。通过集成次级侧同步整流控制器，进一步减少了整流二极管的导通损耗，提升了整体转换效率，尤其在低压大电流输出应用中优势明显。整个方案所需外围元件极少，大幅简化了电源设计流程，缩短了产品开发周期，并提高了系统可靠性。
　　此外，PK5E6BA的设计充分考虑了EMI（电磁干扰）性能，通过软开关技术和频率抖动（frequency jittering）功能有效抑制了传导和辐射噪声，使得设计师更容易通过CISPR 32等电磁兼容标准认证。其ISOPackage-28D封装不仅提供了良好的电气隔离性能（满足加强绝缘要求），还具备优异的散热能力，可通过PCB走线进行有效热管理，适合紧凑型高功率密度电源应用。该器件支持多种输出配置，包括单路输出和多路输出设计，且可通过外部电阻精确设定输出电压，灵活性强。由于其高度集成化设计，省去了光耦、次级侧误差放大器、初级侧启动电阻和部分补偿网络元件，显著降低了BOM成本和PCB面积占用。综上所述，PK5E6BA凭借其高集成度、高效率、高可靠性和简化的系统设计，成为现代高效开关电源中的核心解决方案之一，特别适用于笔记本电脑适配器、智能家居设备电源、工业传感器供电模块、消费类电子产品充电器等领域。

广泛应用于笔记本电脑、平板电脑和手机的电源适配器与充电器；智能家居和物联网设备的嵌入式电源；工业自动化设备中的辅助电源和控制电源；白色家电如电视、音响、路由器等的内置开关电源；医疗设备中对安全隔离和可靠性要求较高的低功率电源模块；LED照明驱动电源；电动工具充电器；以及其他需要高效率、小体积、高可靠性的离线式反激电源设计场景。

INN3367C