时间：2025/12/24 16:26:52
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IXFK64N60Q3 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电压和高电流的应用场景，如电源转换、电机控制、DC-DC 转换器和工业自动化设备等。该器件采用了第三代增强型高压 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻、高开关速度和良好的热性能。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：64A
最大漏源电压：600V
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω
栅极电荷：160nC
最大功耗：300W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
IXFK64N60Q3 采用先进的高压沟道技术，在高电压应用中提供优异的性能。其导通电阻仅为 0.22Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 的栅极电荷较低，仅为 160nC，使得其在高频开关应用中表现出色，从而降低了开关损耗。该器件的 TO-247 封装设计提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。同时，IXFK64N60Q3 还具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受能力，增强了其在严苛环境中的可靠性。
此外，该 MOSFET 在高温环境下仍能保持稳定的工作状态，最大工作温度可达 150°C，适用于工业级和高可靠性应用。其高耐压特性（600V）使其适用于各种高压电源转换器、UPS（不间断电源）、光伏逆变器和电机驱动系统。
IXFK64N60Q3 主要应用于需要高压和高电流能力的功率电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电机控制、焊接设备以及工业自动化控制系统等。此外，该器件还可用于高频逆变器和功率因数校正（PFC）电路中，提供高效能的功率转换能力。
STP65N60FP, IRFP460LC, FGL60N60AND, FDPF64N60TF
