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IX2701CEN1 发布时间 时间:2025/8/27 15:16:23 查看 阅读:6

IX2701CEN1 是一款由 IXYS 公司生产的高性能、双通道、高速MOSFET和IGBT驱动器集成电路。该芯片专为需要高效率和高可靠性的功率电子应用而设计,能够提供强大的驱动能力和出色的保护功能。其封装形式为14引脚SOIC,适合用于各种工业和消费类电子产品中。

参数

工作电压:10V至20V
  输出电流:±1.5A(峰值)
  传播延迟:17ns(典型值)
  上升/下降时间:4ns/4ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装类型:14-SOIC
  输入逻辑类型:兼容CMOS/TTL
  隔离电压:5000Vrms(绝缘等级)

特性

IX2701CEN1 采用先进的高压集成电路技术,能够在高电压和高频率条件下稳定工作。芯片内部集成了独立的上下桥臂驱动电路,具有高抗噪能力和低交叉传导风险。此外,该器件内置欠压锁定(UVLO)保护功能,当供电电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止功率器件因驱动不足而损坏。其高速特性使其适用于开关频率较高的DC-DC转换器、电机驱动器和逆变器系统。
  该驱动器的输入端支持独立控制,允许用户灵活配置上下桥臂的工作时序,避免直通电流的发生。芯片的输出端具备强大的灌电流和拉电流能力,可快速驱动大功率MOSFET或IGBT模块,从而提高系统效率并减少开关损耗。此外,IX2701CEN1 采用增强型电气隔离设计,确保在高压环境下仍能保持信号传输的稳定性,适用于需要高可靠性和安全性的工业电源系统。

应用

IX2701CEN1 常用于高性能电源转换系统,如半桥和全桥拓扑结构的DC-DC变换器、无刷直流电机控制器、太阳能逆变器、UPS不间断电源以及电动汽车充电模块等。其高驱动能力和良好的保护机制也使其适用于工业自动化设备、伺服驱动系统和高频开关电源设计。

替代型号

Si8235BB-C-ISR
  HCPL-J312
  IR2110SPBF

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