供电电压范围：10V 至 20V
　　输出驱动电压：最大 20V
　　输入信号兼容性：TTL/CMOS
　　输出驱动能力：±1.6A（典型值）
　　传播延迟时间：110ns（典型值）
　　上升时间：20ns（典型值）
　　下降时间：15ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：16引脚 SOIC 和 DIP

IX1477GE具备多项高性能特性，使其在复杂的功率电子应用中表现出色。首先，其高速驱动能力确保了功率器件的快速开关，从而减少开关损耗并提高系统效率。芯片的传播延迟时间仅为110ns，且上升和下降时间分别达到20ns和15ns，这使得其非常适合高频应用。
　　其次，IX1477GE集成了高侧和低侧驱动电路，采用自举技术来驱动高压侧器件，极大地简化了外围电路设计。其高侧浮动电源电压可达+600V，能够适应多种高压应用场景。
　　此外，该芯片采用了先进的CMOS工艺制造，具有较高的抗干扰能力，同时输入信号兼容TTL和CMOS电平，方便与控制器连接。其工作温度范围宽达-40°C至+125°C，适合工业级和汽车级应用环境。
　　IX1477GE还具备过热保护和欠压锁定（UVLO）功能，在电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止异常操作，提高系统稳定性。这些特性使得IX1477GE在逆变器、DC-DC转换器、电机驱动器等应用中表现出色。

IX1477GE 主要应用于需要高速和高压驱动能力的功率电子系统中。常见的应用包括：开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器、电动车辆的电机控制器、太阳能逆变器、工业自动化设备以及电机驱动系统。由于其具备高侧和低侧驱动能力，IX1477GE特别适合用于半桥或全桥拓扑结构中的功率MOSFET或IGBT的驱动控制。
　　在电源设计中，IX1477GE可用于提高转换效率，减少开关损耗，并增强系统的稳定性和可靠性。在电机控制应用中，它能够实现快速响应和精确的控制，从而提高电机的运行效率。此外，该芯片也广泛用于各种工业和消费类电子设备中的功率转换模块，特别是在需要高压和高频操作的场合。

IR2104、LM5101、UCC27524、IX1478GE