型号：7N50Z-TC
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　极性：N-Channel
　　漏源电压（VDS）：500 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：7 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：28 A
　　导通电阻（RDS(on) max）：1.2 Ω @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on) typ）：1.05 Ω @ VGS = 10 V
　　阈值电压（VGS(th)）：3 ~ 5 V
　　输入电容（Ciss）：1050 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：290 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　工作温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　功率耗散（PD）：50 W
　　栅极电荷（Qg）：24 nC @ VGS = 10 V

7N50Z-TC采用英飞凌成熟的超级结（Superjunction）MOSFET技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。其低RDS(on)特性减少了在高电流条件下的功率损耗，有助于提高整体系统效率并降低散热需求。该器件的栅极电荷（Qg）较低，意味着驱动电路所需的能量更少，从而简化了驱动设计并提升了系统的响应速度。此外，7N50Z-TC具备优异的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定运行，增强了系统的可靠性。
　　该MOSFET的TO-252封装具有良好的热传导性能，可通过PCB上的散热焊盘有效将热量传导至外部环境，适用于空间受限但对热管理要求较高的应用场景。其表面贴装设计不仅提高了组装效率，还增强了机械稳定性，尤其适合自动化生产线使用。器件的工作结温可达+150°C，表明其在高温环境下仍能维持正常工作，适用于工业级和部分严苛环境下的应用。同时，宽泛的栅源电压范围（±30V）提供了更强的抗干扰能力和驱动兼容性，可适配多种常见的MOSFET驱动IC。
　　7N50Z-TC在电磁兼容性（EMC）方面也进行了优化，减少了开关过程中的电压尖峰和振铃现象，有助于降低电磁干扰（EMI），从而减少对外围电路的影响，提升系统整体的稳定性与安全性。其快速的开关速度结合较低的输出电容（Coss），使得在高频DC-DC变换器中能够实现更高的转换效率，特别适用于服务器电源、LED驱动电源和光伏逆变器等对能效要求较高的设备。

7N50Z-TC广泛应用于各类中高功率开关电源系统，如AC-DC适配器、离线式反激电源（Flyback Converter）、有源钳位正激变换器（Active Clamp Forward）以及LLC谐振转换器等。其高耐压和良好的热性能使其成为工业电源模块、UPS不间断电源和电信整流器中的关键元件。此外，该器件也常用于电机控制电路，如小型交流电机驱动、步进电机驱动和电动工具中的H桥拓扑中，作为高速开关使用。在新能源领域，7N50Z-TC可用于太阳能微型逆变器和储能系统的功率级设计，帮助实现高效率的能量转换。其表面贴装封装也使其适用于需要自动化生产和紧凑布局的消费类电子产品，如智能家电电源板和大功率LED照明驱动电源。

SPW35N50C3, FQP10N50, STP7NK50ZFP, 2SK3562