IX1116GEN4 时间：2025/8/28 0:46:01 阅读：7

IX1116GEN4 是一款由 IXYS 公司推出的高速、高边/低边栅极驱动器芯片，专为驱动功率MOSFET和IGBT等功率开关器件而设计。该芯片采用了先进的CMOS/DMOS混合工艺制造，具有出色的抗噪能力和驱动性能。IX1116GEN4 适用于各种高电压、高频率的功率转换应用，如DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器和电源管理系统。其工作电压范围宽，能够提供高达1.6A的峰值驱动电流，确保了功率器件的快速开关，从而提高了系统效率并降低了开关损耗。

参数

供电电压：10V 至 20V
　　输出驱动电流：±1.6A（峰值）
　　传播延迟：17ns（典型值）
　　上升时间：6ns（典型值）
　　下降时间：5ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：16引脚 SOIC
　　输入逻辑电平：兼容3.3V、5V TTL/CMOS
　　输出电压摆幅：从VSS到VDD
　　隔离耐压：1500Vrms（60秒）

特性

IX1116GEN4 是一款高性能的双通道栅极驱动器，具有多种关键特性以满足高功率应用的需求。首先，其高速特性使其非常适合高频开关应用，具有极低的传播延迟（仅17ns）和快速的上升/下降时间，这有助于减少开关损耗并提高系统效率。
　　其次，该芯片具备高边和低边驱动能力，适用于半桥或全桥拓扑结构中的功率器件驱动。其高边驱动器采用自举供电方式，无需额外的隔离电源，简化了设计并降低了成本。
　　此外，IX1116GEN4 采用了高抗噪设计，具有优异的抗干扰能力，能够在高dv/dt环境下稳定工作。其输入端具有施密特触发器功能，增强了噪声抑制能力，并防止因输入信号抖动而导致的误触发。
　　该芯片还集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于安全阈值时，驱动器会自动关闭输出，防止功率器件在非理想条件下工作，从而提高系统的可靠性。
　　IX1116GEN4 采用16引脚SOIC封装，具有良好的热性能和电气隔离能力，适用于工业级温度范围（-40°C 至 +125°C），可广泛应用于各种恶劣环境。

应用

IX1116GEN4 广泛应用于需要高速驱动功率MOSFET或IGBT的电力电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）以及各类工业自动化设备中的功率控制模块。
　　在电机驱动系统中，IX1116GEN4 可用于驱动H桥结构中的高边和低边MOSFET，实现高效、精确的电机控制。在太阳能逆变器中，该芯片可用于驱动DC-AC逆变桥中的IGBT，实现高效的能量转换。此外，该芯片还可用于高频谐振变换器、ZVS/ZCS拓扑电路以及各类高频开关电源的设计。