时间：2025/6/28 12:30:02
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CDR31BP120BFZPAT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他高效率电力转换应用中。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，从而能够有效降低能耗并提升系统性能。
该芯片属于N沟道增强型MOSFET，封装形式为TO-247-3L，具有较大的散热面积以适应高电流工作环境。其优化的栅极电荷设计使得驱动损耗得以最小化，同时具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：31A
导通电阻：95mΩ（典型值，在特定条件下）
栅极电荷：85nC
总功耗：350W
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 高耐压能力，支持高达1200V的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 超低导通电阻，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
3. 快速开关速度，降低了开关过程中的能量损失。
4. 内置ESD保护功能，提升了器件在实际使用中的抗静电能力。
5. 热稳定性强，能够在极端温度范围内可靠运行。
6. TO-247-3L封装设计提供了良好的散热性能，适合大功率应用需求。
CDR31BP120BFZPAT广泛应用于各种需要高效功率转换的场景中，例如工业设备中的电机驱动控制、新能源领域中的光伏逆变器以及不间断电源(UPS)系统等。此外，它还被用于车载充电器、电动车控制器以及其他要求高可靠性和高效率的电子装置中。
由于其出色的电气特性和机械结构，这款MOSFET特别适合需要频繁开关操作或承受较大负载变化的工作环境。
CDR31BP120AFZPAT, IRFP260N, STW45N120K5
