ITXH50N10A 时间：2025/8/5 18:59:12 阅读：26

ITXH50N10A是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及其他高效率功率电子设备。该MOSFET采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大漏极电流(Id)：50A
　　导通电阻(Rds(on))：最大值约为0.017Ω（具体数值可能因生产批次不同略有差异）
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散(Pd)：160W
　　输入电容(Ciss)：约2000pF
　　开关时间：导通时间约20ns，关断时间约40ns

特性

ITXH50N10A具备多项优异的电气和热性能特性，适用于高功率密度设计。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率，同时降低器件在高电流下的温升，提升可靠性。
　　该MOSFET采用先进的沟槽栅技术，优化了开关特性和热稳定性，从而在高频开关应用中表现出色。其高达50A的连续漏极电流能力，使其适用于高功率负载场合。
　　此外，该器件的栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅极电压，在驱动过程中具有更高的容错能力，避免因驱动电压波动导致的栅极击穿。TO-220封装形式不仅提供良好的散热路径，还便于安装在散热片上，适合多种工业和消费类应用。
　　ITXH50N10A还具备较高的短路耐受能力，在异常工作条件下具有更好的鲁棒性，从而提高整体系统的可靠性。