类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：150A
　　漏源极击穿电压（VDS）：30V
　　栅源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：2.7mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

K2292-01L具备多项卓越的电气和热性能特性，适用于高电流、高效率的功率应用。
　　首先，该器件的导通电阻非常低，典型值为2.7mΩ，这使得在大电流工作时的功率损耗显著降低，提高了系统效率。此外，低RDS(on)还减少了热量产生，有助于提升整体系统可靠性。
　　其次，K2292-01L采用了高功率TO-263（D2PAK）封装，具备良好的热管理能力，能够有效散热，确保器件在高负载条件下稳定运行。这种封装形式也便于在PCB上安装和焊接，适合自动化生产流程。
　　再者，该MOSFET的最大漏极电流可达150A，支持在高功率密度应用中提供强劲的电流输出。其漏源极击穿电压为30V，适合用于低压大电流电源转换系统，如服务器电源、电动工具、电池保护模块等。
　　此外，K2292-01L的栅源极电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制能力，确保在各种驱动条件下都能稳定工作。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。
　　综合来看，K2292-01L是一款性能优异的功率MOSFET，适用于对效率和可靠性要求较高的电源管理系统。

K2292-01L广泛应用于多种功率电子设备中，包括但不限于：电源适配器、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、服务器电源、UPS系统、电机驱动器以及高电流负载开关电路等。其优异的导通特性和热稳定性使其成为高效率电源设计中的理想选择。

SiR178DP, IPB013N04NG, FDS4410, IRF150N