时间：2025/5/23 3:20:29
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BSZ086P03NS3E G是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，非常适合在要求高效能和高可靠性的应用中使用。其封装形式为PowerSSO-14，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和紧凑型设计。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：3.7mΩ
总功耗(Ptot)：190W
结温范围(Tj)：-55℃至175℃
封装形式：PowerSSO-14
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力（Id=45A），适合用于大功率应用。
3. 良好的开关性能，支持高频工作，减少磁性元件体积。
4. 增强的热性能，可有效散热以维持长期稳定性。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
6. 支持表面贴装技术（SMT），便于大批量生产及优化PCB布局。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 电动工具、电机驱动等大电流负载控制。
4. 汽车电子中的负载切换与保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 太阳能逆变器中的功率转换组件。
IPW60R040P7_G, FDP057N06L, IRF6744
