时间：2025/6/16 18:03:54
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SI1330EDL-T1-GE3是Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了TrenchFET Gen III技术，具有极低的导通电阻和出色的开关性能。它适用于多种功率转换应用，例如DC-DC转换器、负载切换、电机控制以及便携式电子设备中的电源管理电路。
这款MOSFET的工作电压范围较宽，能够承受高达40V的漏源电压，同时具备非常低的导通电阻，从而提高效率并降低功耗。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±8V
连续漏电流：3.6A
导通电阻：5.5mΩ
栅极电荷：7.9nC
反向恢复时间：26ns
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 采用TrenchFET Gen III技术，优化了开关性能和热稳定性。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 超小型封装DFN1006-8（3mm x 3mm），节省PCB空间。
5. 支持高温操作，能够在极端环境下保持稳定性能。
6. 符合RoHS标准，环保设计。
7. 具备优异的雪崩能力和耐用性，提高了整体可靠性。
1. 移动设备充电器及适配器中的同步整流。
2. DC-DC转换器，用于笔记本电脑、平板电脑和其他消费类电子产品。
3. 开关模式电源（SMPS）中的功率MOSFET。
4. 电池保护和负载切换。
5. 小型化电机驱动和控制。
6. 工业自动化设备中的信号调节和电源管理模块。
7. 汽车电子系统中的负载驱动和电源分配。
SI1331EDL-T1-GE3
SI1340EDL-T1-GE3
SI1333EDL-T1-GE3
