时间：2025/8/5 17:52:51
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ITXH10N100A 是一款由英飞凌（Infineon）制造的高性能N沟道功率MOSFET。这款MOSFET专为高电压和高功率应用设计，适用于工业电源、转换器、电机控制以及电动汽车等领域。ITXH10N100A 采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。该器件封装在高性能的TO-247封装中，便于散热和集成。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：1000V
漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：最大值 750mΩ
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
ITXH10N100A 的主要特性之一是其高电压耐受能力，能够在高达1000V的电压下正常工作，这使其非常适合用于高压电源和电力电子系统。此外，该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。其先进的沟槽技术还提供了更快的开关速度，从而减少了开关损耗，使器件能够在高频下运行，适用于高频率开关应用。
ITXH10N100A 的TO-247封装设计具有良好的热性能，能够有效散热，防止因高温而导致的性能下降或损坏。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽（±30V），允许使用不同的驱动电路配置，提高了设计的灵活性。该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，可在恶劣工作条件下提供可靠的性能。
ITXH10N100A 主要应用于高电压和高功率电子系统中，例如工业电源、逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动汽车充电系统。它还可用于开关电源（SMPS）和LED照明系统中的功率因数校正（PFC）电路，以提高能效并减少能量浪费。
IXTH10N100 IXFH10N100
