时间：2025/6/19 14:50:40
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FQD6N40CTM是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器等应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高效率和高频率的电路中提供出色的性能。
最大漏源电压：400V
连续漏极电流：6A
导通电阻：2.5Ω
栅极电荷：15nC
总电容：320pF
功耗：24W
工作温度范围：-55℃至+150℃
FQD6N40CTM具有较高的耐压能力，可承受高达400V的漏源电压，这使其非常适合高压环境中的应用。同时，其低导通电阻可以有效降低传导损耗，从而提高整体系统的效率。
此外，该器件具备快速开关特性，能够显著减少开关损耗。其栅极电荷较低，有助于实现更快的开关速度和更高的工作效率。
FQD6N40CTM采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，适合用于高功率密度的设计场景。由于其宽泛的工作温度范围，该器件可在极端环境下保持稳定运行。
FQD6N40CTM广泛应用于各类电力电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 脉宽调制（PWM）控制器
6. 高频放大器
7. 工业自动化设备
8. 汽车电子系统
这款MOSFET凭借其优良的电气特性和可靠性，成为许多高效能电力转换应用的理想选择。
IRF840
STP6NK60Z
FDP15U40A
IXTH12N450P3
