时间：2025/9/15 0:55:05
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PEMH14 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效、高功率密度的电源管理应用。这款器件基于先进的技术，提供了卓越的导通和开关性能，使其适用于各种高效率电源转换系统。PEMH14 是一种表面贴装器件（SMD），封装为 PowerFLAT 5x6，具有较小的尺寸和良好的热性能，非常适合紧凑型设计和高功率密度需求的应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100 V
最大漏极电流（Id）：180 A（在 Vgs = 10 V 时）
导通电阻（Rds(on)）：1.4 mΩ（最大值，典型值可能更低）
栅极电荷（Qg）：90 nC（典型值）
输入电容（Ciss）：3300 pF（典型值）
封装：PowerFLAT 5x6
工作温度范围：-55°C 至 175°C
PEMH14 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在导通状态下的功率损耗最小化，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件具有高电流承载能力，在 180 A 的漏极电流下仍能稳定工作，适合用于高功率应用。PEMH14 的栅极电荷（Qg）较低，这意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，从而减少了开关损耗，并允许更快的开关速度。这对于高频开关应用（如同步整流和 DC-DC 转换器）非常重要。
该器件采用 PowerFLAT 封装，具有良好的热管理性能，可以有效散发高功率操作中产生的热量。此外，PowerFLAT 5x6 封装的小尺寸使其非常适合空间受限的设计，同时其表面贴装结构有助于提高制造效率和可靠性。
PEMH14 还具有宽工作温度范围（-55°C 至 175°C），可在极端环境条件下稳定运行，这使其适用于汽车电子、工业控制等对可靠性要求较高的应用。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常支持 4.5 V 至 20 V 的 Vgs，允许使用标准驱动器进行控制，从而简化了设计过程。
PEMH14 通常用于需要高效率和高功率密度的电源管理系统。它广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车辆（EV）充电系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。此外，该器件也可用于高性能电源供应器、服务器电源、电信设备和高功率 LED 驱动器等应用领域。
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