时间：2025/8/1 23:21:37
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ITA16N65A 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率转换、电机控制、电源管理等高电流和高电压应用。该器件采用先进的平面条状工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高雪崩能量能力，使其在高功率环境下表现出色。ITA16N65A 封装形式为TO-220，适用于需要高可靠性和稳定性的电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：650V
漏极电流（ID）：16A（在25°C）
RDS(on)：0.27Ω（最大）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
最大功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C~150°C
封装类型：TO-220
ITA16N65A 采用先进的平面工艺，具备优异的导通性能和开关性能，适用于高效率电源转换系统。其低导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，提高了整体系统效率。同时，该器件具备高雪崩能量能力，能够在过压或负载突变情况下保持稳定运行，增强了系统的可靠性。
此外，ITA16N65A 具有良好的热稳定性，能够承受较高的工作温度，适用于散热条件有限的电路设计。其栅极驱动特性良好，适用于多种控制电路，包括PWM控制和电机驱动等。
该MOSFET还具备较强的抗干扰能力，可在高频开关条件下稳定工作，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS系统、电机控制及家用电器等应用场景。
ITA16N65A 广泛应用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、LED照明电源、电机驱动控制、电池充电器、UPS不间断电源、家电控制模块以及工业自动化设备中的功率开关电路。由于其具备高耐压和大电流能力，因此特别适合用于中高功率级别的电源管理系统。
STP16NF65A, FQA16N65A, IRFZ44N
