容量：256Kbit
　　组织结构：32K x 8
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：10ns
　　工作温度：-40°C至+85°C（工业级）
　　封装类型：TSOP、SOJ、TSSOP
　　接口类型：并行
　　最大功耗：100mA（典型值）

ISSI401-3G SRAM芯片具有多项优异的性能特点。首先，它具有高速访问时间，最快可达10ns，能够满足高速数据存取的需求。其次，该芯片支持宽电压范围供电（2.3V至3.6V），适应不同的电源环境，并具有低功耗模式，支持待机和掉电模式，有效延长电池供电设备的使用时间。此外，ISSI401-3G支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在恶劣环境下的稳定运行。芯片的封装形式多样，包括TSOP、SOJ和TSSOP，便于在不同PCB设计中灵活使用。ISSI401-3G还具有高可靠性和长寿命，适用于对稳定性要求较高的工业控制系统、网络设备、通信模块、数据采集系统等应用场景。

ISSI401-3G SRAM芯片广泛应用于多个领域，包括工业自动化控制系统、网络交换设备、通信基站、医疗电子设备、嵌入式系统、便携式电子设备以及智能仪表等。由于其高速访问时间、低功耗特性和宽工作温度范围，ISSI401-3G特别适合需要高性能存储解决方案的场合。例如，在工业控制中，它可以作为主控制器的高速缓存，用于临时存储关键数据；在通信设备中，可用于缓冲数据包，提高传输效率；在嵌入式系统中，可作为程序存储器或数据缓冲器，提升系统响应速度。此外，该芯片也可用于消费类电子产品，如打印机、扫描仪、数字相机等，提供稳定可靠的数据存储支持。

ISSI401-2J, ISSI401-3G-TR, ISSI401-4G, CY62148VLL, AS7C34098A