时间：2025/4/28 17:14:00
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ISC030N10NM6 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种工业及消费类电子产品中的电源管理场景。
ISC030N10NM6 以其卓越的性能和可靠性在业界受到广泛认可，能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：38nC
总开关时间：75ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
ISC030N10NM6 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，适合现代高效能电源转换器。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性，确保在异常条件下仍能正常工作。
4. 紧凑的封装形式，便于 PCB 布局和散热设计。
5. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
ISC030N10NM6 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动电路
4. 电池保护系统
5. 太阳能逆变器
6. 工业控制与自动化设备
7. 电动汽车充电装置
其高效的开关特性和大电流承载能力使其成为这些应用的理想选择。
IRF3205
STP30NF10
FDP158N10A
