HZU3ALLTRF 时间：2025/4/29 17:43:30 阅读：2

HZU3ALLTRF 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用先进的封装工艺，能够显著降低开关损耗，并提高功率密度。其主要应用于电源转换、DC-DC转换器、无线充电设备以及工业电机驱动等领域。

参数

型号：HZU3ALLTRF
　　最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：12A
　　导通电阻：40mΩ
　　栅极电荷：75nC
　　开关频率：最高可达5MHz
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-247

特性

HZU3ALLTRF 的核心特点是采用了氮化镓材料，使其具备卓越的高频性能和低导通电阻。此外，它还具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻（40mΩ），减少了导通状态下的功耗。
　　2. 高开关频率支持（最高达5MHz），使得设计更紧凑的磁性元件成为可能。
　　3. 内置ESD保护功能，增强了器件的可靠性。
　　4. 热性能优异，能够在高温环境下稳定运行。
　　5. 符合RoHS标准，环保且适合现代绿色能源应用需求。

应用

这款晶体管广泛适用于多种领域，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）设计，尤其是对体积和效率有严格要求的场合。
　　2. 高频DC-DC转换器，用于通信设备或数据中心电源模块。
　　3. 无线充电系统，支持更高功率传输并优化热管理。
　　4. 工业自动化中的快速开关电机驱动电路。
　　5. 太阳能逆变器及储能系统中功率转换级的构建。