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IS63WV1024BLL-12TLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:23:23 查看 阅读:30

IS63WV1024BLL-12TLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM),容量为1Mbit(128K x 8),采用CMOS工艺制造,具有高性能和低功耗特性。该芯片适用于需要高速数据访问和高可靠性的应用环境,例如网络设备、通信系统和工业控制设备。

参数

容量:1Mbit (128K x 8)
  组织方式:x8
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:12ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  封装尺寸:54-TSOP
  接口类型:并行异步接口
  最大工作频率:无(异步)
  读取电流:典型值 100mA(在 5MHz 下)
  待机电流:最大 10mA

特性

IS63WV1024BLL-12TLI-TR具备高速访问时间(12ns),适用于需要快速数据读写的应用场景。其异步接口设计允许与多种控制器和处理器直接连接,无需额外的时钟信号,简化了系统设计。该芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),确保在不同供电环境下都能稳定运行。工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境,具有良好的温度适应性和可靠性。此外,该SRAM芯片在待机模式下功耗极低,有助于节省系统能耗。
  IS63WV1024BLL-12TLI-TR采用54引脚TSOP封装,占用空间小,适合高密度PCB布局。其CMOS工艺不仅降低了功耗,还提高了抗干扰能力,确保数据的稳定性和完整性。芯片内部采用先进的制造工艺,确保了数据访问的高速性和可靠性,适用于各种嵌入式系统和数据缓存应用。

应用

IS63WV1024BLL-12TLI-TR广泛应用于需要高速数据存储和访问的系统中。典型应用包括路由器、交换机等网络设备中的数据缓冲,工业控制设备中的实时数据处理,以及嵌入式系统的临时数据存储。由于其高速访问时间和低功耗特性,它也适用于便携式设备和需要低功耗运行的系统。此外,该芯片还可用于测试设备、通信模块和数据采集系统,确保数据的快速读写和稳定存储。

替代型号

CY62148EVLL-12ZE3C, IS63LV1024BLL-12TLI-TR, IDT71V016SA12TFI, IS64WV1024BLL-12TLI-TR

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IS63WV1024BLL-12TLI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量1 Mbit
  • 组织128 K x 8
  • 访问时间12 ns
  • Supply Voltage - Max3.63 V
  • Supply Voltage - Min2.97 V
  • 最大工作电流45 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体sTSOP I-32
  • 封装Reel
  • 接口TTL
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量1000
  • 类型Asynchronous