时间：2025/8/25 3:34:30
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HGT1S7N60B3是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等高效率功率应用中。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻、高击穿电压和优异的热稳定性。HGT1S7N60B3封装为TO-220，适用于多种工业和消费类电子产品。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：7A
导通电阻（Rds(on)）：1.5Ω（最大）
功率耗散（Pd）：83W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
HGT1S7N60B3是一款性能优异的高压MOSFET，其主要特性包括低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性。该器件采用先进的平面制造工艺，使得在高电压下依然能够保持较低的导通损耗，从而提升系统的整体效率。此外，HGT1S7N60B3具备较高的栅极耐压能力（±30V），增强了其在复杂电路环境中的稳定性与可靠性。
在热性能方面，HGT1S7N60B3的TO-220封装设计提供了良好的散热能力，能够在较高功率条件下保持较低的结温，避免因过热导致的失效。该器件还具有较高的雪崩能量耐受能力，适用于需要承受瞬态高压或高电流脉冲的应用场景。
此外，HGT1S7N60B3的静态特性优异，具有较低的漏电流和较高的开关速度，适合高频开关应用。其栅极驱动需求较低，兼容常见的驱动电路，进一步简化了系统设计。
HGT1S7N60B3广泛应用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动、照明系统（如LED驱动器）、充电器以及工业自动化控制系统。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高效率、高可靠性电源设计的理想选择。
HGT1S6N60B3, HGT1S8N60B3
