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IRF3710ZPBF 发布时间 时间:2025/4/28 19:35:46 查看 阅读:1

IRF3710ZPBF 是一款高性能的 N 沗道功率场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件采用逻辑电平驱动设计,能够以较低的栅极驱动电压实现高效的导通和关断。其主要应用于开关电源、直流-直流转换器、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率切换的场合。
  IRF3710ZPBF 采用了 TO-263 (D2PAK) 封装形式,具有良好的散热性能,适合在高功率密度应用中使用。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:38A
  栅极阈值电压:2.5V~4.5V
  导通电阻:7mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  功耗:250W
  封装形式:TO-263 (D2PAK)
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C

特性

IRF3710ZPBF 具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高效率。
  2. 快速开关速度,减少了开关损耗。
  3. 较低的栅极电荷(Qg),简化了驱动电路设计。
  4. 高电流处理能力,适合大功率应用。
  5. 良好的热稳定性,确保在高温环境下可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。

应用

IRF3710ZPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. 直流-直流转换器的核心功率元件。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
  5. 工业自动化设备中的功率控制电路。
  6. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统和辅助驱动系统。

替代型号

IRF3710,
  IRF3710TRPBF,
  IXYS IRF3710L,
  ON Semiconductor NTMP4889N

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IRF3710ZPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C59A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 35A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2900pF @ 25V
  • 功率 - 最大160W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF3710ZPBF