您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IS62WV6416DBLL-45BLI-TR

IS62WV6416DBLL-45BLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:17:23 查看 阅读:27

IS62WV6416DBLL-45BLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有64K地址空间,每个地址存储16位数据,因此其总容量为64K x 16位。该型号属于高速CMOS SRAM,适用于对数据存储速度要求较高的嵌入式系统和工业控制应用。封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),适合高密度PCB布局。该芯片的工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适用于各种严苛环境。

参数

供电电压:2.3V至3.6V
  访问时间:45ns
  封装类型:TSOP-II
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装尺寸:54-TSOP
  数据总线宽度:16位
  地址总线宽度:16位
  最大功耗:典型值为120mA(待机模式下为10mA)
  时序类型:异步
  封装材料:塑料

特性

IS62WV6416DBLL-45BLI-TR采用高性能CMOS技术制造,具备低功耗和高速访问能力,访问时间仅为45ns,能够满足高速缓存和实时系统的需求。该芯片支持异步操作,无需时钟信号即可进行读写操作,简化了系统设计。其双片选信号(CE1和CE2)设计提供了更高的灵活性,便于与其他外围设备配合使用。此外,该SRAM芯片具备低待机电流特性,有助于降低系统整体功耗。
  在封装方面,该型号采用TSOP-II封装,具有良好的散热性能和较小的封装尺寸,适用于空间受限的应用场景。该器件的输入/输出引脚兼容TTL电平,可直接与多种微处理器和控制器连接,增强了其通用性。
  该芯片还具备自动省电模式,在片选信号无效时自动进入低功耗状态,从而延长电池寿命,适用于便携式设备和嵌入式系统。其内部结构采用全静态设计,无需刷新操作,提高了数据存储的稳定性和可靠性。

应用

IS62WV6416DBLL-45BLI-TR广泛应用于需要高速数据存储和低功耗特性的场合,如嵌入式控制系统、工业自动化设备、通信模块、医疗仪器、图像处理设备和便携式电子产品等。由于其异步接口特性,它常被用于与8/16位微处理器(如Intel 80C186、Motorola 68000系列)配合使用,构建紧凑而高效的嵌入式系统。

替代型号

IS62WV6416DBLL-55BLLI-TR, CY7C1009B-10ZSXC, IDT71V416SA-10PFGI

IS62WV6416DBLL-45BLI-TR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IS62WV6416DBLL-45BLI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量2500