IS62WV6416BLL-55BLI是一款高速静态随机存取存储器(SRAM),由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造。该器件采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高可靠性的特点。IS62WV6416BLL-55BLI的存储容量为64K x 16位,即总容量为1Mbit,适用于需要快速访问和数据暂存的应用场景。该芯片支持异步操作,工作电压为2.3V至3.6V,适应多种电源环境。封装形式为54引脚TSOP(Thin Small Outline Package),适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C)。该器件广泛用于通信设备、工业控制、嵌入式系统和网络设备等领域。
类型:异步SRAM
容量:64K x 16位(1Mbit)
电压范围:2.3V - 3.6V
访问时间:55ns
封装:54引脚TSOP
温度范围:-40°C至+85°C
数据总线宽度:16位
封装尺寸:54-TSOP
最大工作频率:约18MHz(由访问时间推导)
输入/输出电平:TTL兼容
功耗(典型值):待机模式下约10mA,工作模式下约120mA
IS62WV6416BLL-55BLI是一款高性能SRAM芯片,具备低功耗、高速访问和宽电压工作范围的特性。其异步设计使其适用于多种嵌入式系统和实时控制系统。该芯片的访问时间为55纳秒,确保了快速的数据读写能力,适合用于缓存或需要快速响应的场合。CMOS工艺降低了功耗,同时提高了抗干扰能力,使得该器件在高温和恶劣环境下仍能保持稳定运行。54引脚TSOP封装结构紧凑,便于在空间受限的PCB布局中使用,同时具备良好的散热性能。此外,该芯片的TTL兼容接口简化了与多种微控制器和处理器的连接。IS62WV6416BLL-55BLI支持多种工作模式,包括读取、写入、待机和输出禁用模式,用户可根据实际需求进行灵活配置,以进一步优化功耗和性能之间的平衡。
IS62WV6416BLL-55BLI广泛应用于各种需要高速数据存储和低功耗特性的电子系统中。例如,它可作为嵌入式系统的外部存储器,用于临时存储运行数据和程序代码。在工业控制设备中,该芯片可用于缓存传感器数据或控制指令,提高系统响应速度。此外,IS62WV6416BLL-55BLI也适用于通信设备,如路由器和交换机,作为数据缓冲存储器,确保高速数据传输的稳定性。在测试设备和测量仪器中,该SRAM芯片可用于存储测量结果和校准数据。由于其工业级温度范围和高可靠性,该器件也适用于车载电子系统、安防设备和智能仪表等应用领域。
IS62WV6416BLL-55BLQ, CY62167VLL-55BZI, IDT71V124SA-55B, IS61WV6416BLL-55BLL