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IS62WV6416BLL-55BLI 发布时间 时间:2025/9/1 10:29:20 查看 阅读:7

IS62WV6416BLL-55BLI是一款高速静态随机存取存储器(SRAM),由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造。该器件采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高可靠性的特点。IS62WV6416BLL-55BLI的存储容量为64K x 16位,即总容量为1Mbit,适用于需要快速访问和数据暂存的应用场景。该芯片支持异步操作,工作电压为2.3V至3.6V,适应多种电源环境。封装形式为54引脚TSOP(Thin Small Outline Package),适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C)。该器件广泛用于通信设备、工业控制、嵌入式系统和网络设备等领域。

参数

类型:异步SRAM
  容量:64K x 16位(1Mbit)
  电压范围:2.3V - 3.6V
  访问时间:55ns
  封装:54引脚TSOP
  温度范围:-40°C至+85°C
  数据总线宽度:16位
  封装尺寸:54-TSOP
  最大工作频率:约18MHz(由访问时间推导)
  输入/输出电平:TTL兼容
  功耗(典型值):待机模式下约10mA,工作模式下约120mA

特性

IS62WV6416BLL-55BLI是一款高性能SRAM芯片,具备低功耗、高速访问和宽电压工作范围的特性。其异步设计使其适用于多种嵌入式系统和实时控制系统。该芯片的访问时间为55纳秒,确保了快速的数据读写能力,适合用于缓存或需要快速响应的场合。CMOS工艺降低了功耗,同时提高了抗干扰能力,使得该器件在高温和恶劣环境下仍能保持稳定运行。54引脚TSOP封装结构紧凑,便于在空间受限的PCB布局中使用,同时具备良好的散热性能。此外,该芯片的TTL兼容接口简化了与多种微控制器和处理器的连接。IS62WV6416BLL-55BLI支持多种工作模式,包括读取、写入、待机和输出禁用模式,用户可根据实际需求进行灵活配置,以进一步优化功耗和性能之间的平衡。

应用

IS62WV6416BLL-55BLI广泛应用于各种需要高速数据存储和低功耗特性的电子系统中。例如,它可作为嵌入式系统的外部存储器,用于临时存储运行数据和程序代码。在工业控制设备中,该芯片可用于缓存传感器数据或控制指令,提高系统响应速度。此外,IS62WV6416BLL-55BLI也适用于通信设备,如路由器和交换机,作为数据缓冲存储器,确保高速数据传输的稳定性。在测试设备和测量仪器中,该SRAM芯片可用于存储测量结果和校准数据。由于其工业级温度范围和高可靠性,该器件也适用于车载电子系统、安防设备和智能仪表等应用领域。

替代型号

IS62WV6416BLL-55BLQ, CY62167VLL-55BZI, IDT71V124SA-55B, IS61WV6416BLL-55BLL

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IS62WV6416BLL-55BLI产品

IS62WV6416BLL-55BLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量1 Mbit
  • 组织64 K x 16
  • 访问时间55 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.5 V
  • 最大工作电流5 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体mBGA-48
  • 接口TTL
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量480
  • 类型Asynchronous