时间：2025/9/1 16:52:54
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IS62WV25616EBLL-45TLI-TR是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具备256K x 16位的存储容量，采用高速访问时间设计，适合用于需要高性能和低延迟的系统中。该SRAM芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗特性，适用于多种嵌入式应用和工业控制系统。
类型：静态RAM（SRAM）
容量：256K x 16位
访问时间：45ns
电源电压：2.3V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：54引脚TSOP
数据总线宽度：16位
封装尺寸：54-TSOP
功耗（典型值）：待机模式下低至10mA
封装类型：表面贴装
接口类型：并行异步接口
IS62WV25616EBLL-45TLI-TR SRAM芯片具有多项高性能特性。首先，其高速访问时间仅为45ns，适合用于对响应速度要求较高的系统中，例如工业控制、通信设备和嵌入式系统。其次，该器件采用低电压CMOS工艺制造，支持2.3V至3.6V的宽电压范围，使其在不同供电条件下都能稳定运行，同时具有较低的静态电流，有助于延长电池供电设备的续航时间。此外，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在严苛的工业环境中使用。封装方面，该芯片采用54引脚TSOP封装，便于自动化生产和表面贴装工艺，提高系统集成度。该SRAM无需刷新操作，数据在供电状态下可保持不变，简化了系统设计并提高了稳定性。最后，其16位数据总线支持并行数据传输，适用于高速缓存、缓冲存储器等应用。
IS62WV25616EBLL-45TLI-TR SRAM芯片广泛应用于各种需要高速、低功耗存储的场景。常见的应用包括工业控制设备、网络通信设备、测试测量仪器、汽车电子系统以及嵌入式处理器系统。由于其高速读写性能和宽温度范围，它也适用于需要可靠数据存储的恶劣环境。例如，在工业PLC控制器中，该芯片可作为高速缓存或临时数据存储器；在通信模块中，可用于存储临时数据包或配置信息；在嵌入式系统中，常用于提供额外的RAM扩展，以支持实时操作系统或复杂算法的运行。
IS62WV25616EDALL-45TLI-TR, CY62167EV30LL-45TXI, IDT71V124SA90SB8G
