类型：异步DRAM
　　密度：1 Mbit
　　组织结构：256K × 4
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　访问时间：60 ns
　　封装形式：SOJ-20 (Small Outline J-leaded Package)
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　引脚数：20
　　接口类型：并行
　　刷新周期：8 ms 或 64 ms（取决于模式）
　　数据宽度：4位
　　功耗（典型值）：典型工作功耗约120 mW
　　最大时钟频率：无内部时钟（异步操作）

M5M416400DJ-6作为一款经典的CMOS动态随机存取存储器，具备多项关键特性以满足当时主流电子系统对性能与稳定性的双重需求。首先，其采用先进的CMOS制造工艺，在保证高速数据存取能力的同时显著降低了功耗，相较于早期NMOS技术的DRAM产品，具有更高的能效比和更小的热损耗，适合长时间连续运行的应用环境。
　　其次，该芯片支持快速页模式（Fast Page Mode, FPM）访问机制，允许在同一行地址下连续访问多个列地址而无需重复行选通，从而大幅提升连续数据读写的效率，尤其适用于需要批量数据传输的场合，例如图像缓冲、帧存储或I/O缓存处理。
　　此外，M5M416400DJ-6内置自定时预充电电路和片内刷新控制逻辑，支持CAS先于RAS（CAS-before-RAS）的刷新方式，有效简化了外部控制器的设计复杂度，并提高了系统级可靠性。这种刷新机制可在不中断正常操作的前提下完成对存储单元电容的周期性补充电荷，防止数据丢失。
　　在电气特性方面，该器件兼容TTL电平输入输出，便于与多种微处理器、ASIC或FPGA直接连接，无需额外的电平转换电路。其60纳秒的访问时间在同类异步DRAM中处于较优水平，能够匹配当时主流总线速度的需求。
　　封装上采用20引脚SOJ（Small Outline J-leaded）小型化封装，不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能和焊接可靠性，适合表面贴装工艺（SMT），广泛用于高密度组装的主板设计中。尽管该芯片已不再代表当前最先进的内存技术，但其成熟稳定的性能表现使其在工业维修、备件替换和遗留系统维护领域依然保有一定市场价值。

M5M416400DJ-6主要应用于上世纪末至本世纪初的多种电子系统中，尤其是在那些需要中等容量、低成本且稳定性高的动态存储解决方案的设备中表现突出。一个典型的应用场景是老式工业控制计算机（IPC）和可编程逻辑控制器（PLC），这些系统通常采用基于ISA或VME总线架构的主板，其中大量使用此类异步DRAM构建主内存或局部缓存，用于存储实时运行数据、控制程序代码或中间计算结果。
　　此外，该芯片也常见于办公自动化设备，如激光打印机、多功能一体机和数字复印机中，作为页面描述语言（PDL）解析过程中的临时图像缓冲区，用来暂存待打印的点阵图形数据。由于打印过程中需频繁进行突发式数据读写，M5M416400DJ-6的快速页模式特性能够有效提升数据吞吐率，减少等待延迟。
　　在通信领域，部分早期的调制解调器、路由器和交换机模块也曾采用该型DRAM用于数据包缓存或协议处理缓冲区。虽然现代网络设备普遍转向同步内存技术，但在一些远程站点或专用网络中仍在使用基于该芯片的旧平台。
　　另外，M5M416400DJ-6还被用于医疗仪器、测试测量设备以及航空航天领域的嵌入式子系统中，特别是在要求长期供货保障和高可靠性的环境中，其经过长期验证的稳定性和抗干扰能力成为重要考量因素。
　　目前，由于新型存储器的大规模普及，该芯片的新设计应用已极为罕见，但其在设备维修、备件替换和系统升级项目中仍有实际需求，特别是在无法更改原有硬件架构的情况下，寻找原厂或兼容替代品成为维持系统正常运行的关键环节。

IS41LV16400-60BL