类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：200A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大1.0mΩ（典型值0.8mΩ）
　　封装类型：双面散热DFN（Dual Flat No-lead）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　功率耗散(Pd)：300W
　　栅极电荷(Qg)：120nC（典型值）
　　输入电容(Ciss)：5000pF（典型值）

HAFUHT0100L2AXT具有多项显著的电气和热性能优势。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式结构，使得电流分布更加均匀，减少了热点的形成，提高了器件的稳定性和寿命。
　　其次，该MOSFET具有高电流承载能力，在25°C下可承受高达200A的连续漏极电流，适用于大功率应用。此外，其双面散热DFN封装设计不仅提高了散热效率，还减小了PCB占用空间，有助于实现高功率密度的设计目标。
　　在开关性能方面，HAFUHT0100L2AXT表现出较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），从而减少了开关损耗，提高了开关速度。这对于高频应用（如DC-DC转换器和逆变器）至关重要。
　　该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到+175°C，适用于严苛环境条件下的工业和汽车应用。同时，其栅源电压容限为±20V，提供了更高的驱动灵活性和可靠性，防止栅极过压损坏。

HAFUHT0100L2AXT主要应用于需要高功率、高效率和高可靠性的电子系统中。例如，在电源管理系统中，它可作为主开关器件，用于DC-DC降压或升压转换器，以实现高效的电压转换。由于其高电流能力和低导通损耗，该器件也广泛用于电机驱动和逆变器设计中，特别是在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电力电子系统中。
　　此外，HAFUHT0100L2AXT还可用于工业自动化设备中的功率控制模块，如伺服电机控制器、UPS不间断电源以及太阳能逆变器等。其双面散热封装特别适合于对散热要求严格的高密度电路设计，有助于提升整体系统的热管理和稳定性。
　　在消费类电子产品中，该MOSFET也可用于高功率LED驱动、电池管理系统（BMS）以及高性能计算设备的电源管理模块中。其优异的开关性能和低损耗特性使其成为现代高效能电源设计的理想选择。

HAFUHT0100L2AXT的替代型号包括Infineon的BSC010N04LS G、ON Semiconductor的NTB4850NT4G以及STMicroelectronics的STL110N10F7。