AO4435是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN2020-6封装,适用于需要低导通电阻和高效能的应用场合。AO4435具有极低的导通电阻(Rds(on)),在较低的电压下能够提供高效的开关性能,非常适合便携式设备、消费电子以及通信设备中的电源管理应用。
这款MOSFET的最大特点是其出色的开关特性和耐热性,能够在高频条件下实现高效的功率转换。此外,由于其体积小巧,AO4435也特别适合空间受限的设计环境。
型号:AO4435
类型:N-Channel MOSFET
封装:DFN2020-6
Vgs(th)(栅极阈值电压):1.1V(典型值)
Rds(on)(导通电阻):7mΩ @ Vgs=4.5V
Rds(on)(导通电阻):12mΩ @ Vgs=2.5V
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±8V
最大漏极电流(Id):8.6A(脉冲)
总功耗(Pd):1.3W(结温25°C)
工作温度范围(Tj):-55°C 至 +150°C
电荷量(Qg):1.9nC(典型值)
AO4435的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),使其能够在高电流负载下保持低功耗。
2. 小型DFN2020-6封装,节省PCB空间,适合紧凑型设计。
3. 高开关速度,得益于低电荷量(Qg),适合高频应用。
4. 宽泛的工作温度范围,确保了其在极端条件下的稳定性。
5. 较低的栅极电荷和输出电容,进一步优化了开关性能和效率。
6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的要求。
这些特点使AO4435成为消费类电子、计算机外设、通信系统等应用的理想选择。
AO4435广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 负载开关,用于便携式设备中的电源管理。
4. 消费类电子产品中的电池保护电路。
5. 电机驱动器和LED驱动器中的功率控制。
6. 其他需要低导通损耗和高效能的应用场景。
凭借其高性能和小尺寸,AO4435非常适合对空间和效率有严格要求的现代电子产品。
AOZ4435D, SI4432DY, FDMQ8205