时间：2025/6/4 14:44:03
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GA1812A561FBGAT31G 是一款高功率密度、高效的氮化镓（GaN）基场效应晶体管（FET），适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效能和快速开关的应用场景。该器件采用先进的氮化镓技术，具备低导通电阻和高频率工作能力，显著提升了系统效率和功率密度。
相比传统的硅基MOSFET，此款GaN FET具有更低的寄生电感和电容，能够支持更高的开关频率和更小的体积设计，非常适合现代电子设备对小型化和高效化的追求。
型号：GA1812A561FBGAT31G
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压（Vds）：600V
最大连续漏极电流（Id）：31A
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ
栅极驱动电压（Vgs(th)）：1.5V~6V
输入电容（Ciss）：1570pF
输出电容（Coss）：75pF
反向恢复电荷（Qrr）：9nC
结温范围（Tj）：-55℃~+150℃
封装形式：LGA-8
GA1812A561FBGAT31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗，提升整体效率。
2. 高击穿电压（600V），确保在高压应用场景下的可靠性和稳定性。
3. 快速开关速度和低栅极电荷（Qg），使器件能够在高频条件下实现高效运行。
4. 优化的热性能设计，能够承受更高的功率密度，同时减少散热需求。
5. 更小的封装尺寸（LGA-8），有助于缩小PCB面积并简化布局设计。
6. 支持硬开关和软开关拓扑结构，适应多种电路架构需求。
7. 内置保护机制，如过流保护和短路耐受能力，提高了系统的安全性。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），例如服务器电源、通信电源和工业电源等。
2. DC-DC转换器，用于电动汽车充电设备、太阳能逆变器以及电池管理系统。
3. 图形处理器（GPU）和中央处理器（CPU）供电模块，提供高效率和快速动态响应。
4. LED驱动器，为大功率LED照明系统提供稳定的电流控制。
5. 无线充电发射端和接收端电路，满足高频率和高效能量传输的需求。
6. 脉冲宽度调制（PWM）控制器，用于电机驱动和其他功率调节场景。
GAN063-650WSA
GAN064-650WSB
TX GaN HEMT 650V
