型号：CEU01N65A
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　最大连续漏极电流（ID）：1A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：4A
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS=10V）：1.0Ω
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2~4V
　　栅极电荷（Qg typ）：12nC
　　输入电容（Ciss typ）：450pF
　　输出电容（Coss typ）：110pF
　　反向恢复时间（trr）：30ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

CEU01N65A的核心优势在于其采用了先进的超结（Super Junction）结构技术，这种结构通过交替排列P型和N型柱状区域，打破了传统MOSFET中导通电阻与击穿电压之间的线性关系，实现了在650V高耐压下仍保持极低的导通电阻（典型值低于1.0Ω）。这一特性极大地降低了器件在导通状态下的功率损耗，尤其在持续负载较大的应用场景中表现出优异的能效性能。此外，低RDS(on)也有助于减小散热器尺寸，从而降低整机成本并提升功率密度。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，开关速度更快，从而有效减少了开关过程中的能量损耗。这对于工作频率高达数十kHz甚至上百kHz的开关电源和PFC电路尤为重要。同时，较低的输出电容（Coss）也有助于减少关断时的能量损耗，进一步提升系统效率。
　　CEU01N65A还具备良好的热稳定性与可靠性。其最大工作结温可达150°C，并且在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。器件内部经过优化设计，具备较强的抗雪崩能力，可在瞬态过压或感性负载切换时提供一定的自我保护能力。此外，其较高的dv/dt和di/dt耐受能力可有效防止误触发或热失控现象，提升了系统的鲁棒性。
　　在制造工艺方面，CEU01N65A采用成熟且稳定的高压CMOS工艺，确保了产品的一致性和长期供货能力。同时，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等项目，确保在各种严苛应用环境下均能可靠运行。其符合RoHS标准，支持环保生产流程，适用于出口型电子产品和绿色能源设备。

CEU01N65A主要应用于需要高效率、高电压和小型化设计的电力电子系统中。其典型应用场景包括各类开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器、LED驱动电源等，在这些应用中，CEU01N65A作为主开关管或PFC升压开关管使用，能够显著提高电源转换效率并缩小整体体积。特别是在单端反激（Flyback）和临界导通模式（CRM）PFC电路中，该器件凭借其低Qg和低Coss特性，能够实现快速开关动作，减少能量损耗。
　　在LED照明领域，CEU01N65A常用于恒流驱动电路中的功率开关，支持宽输入电压范围下的高效工作，满足节能灯具对高光效和长寿命的要求。此外，在光伏逆变器、小型UPS不间断电源以及家电变频控制系统中，该器件也发挥着关键作用，用于直流升压或逆变桥臂的控制。
　　由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，CEU01N65A也适用于工业控制电源模块、智能电表电源单元以及通信设备的板载电源系统。在这些环境中，电源需长时间稳定运行，且可能面临电网波动或温度变化等挑战，CEU01N65A的高可靠性和耐用性能够保障系统安全运行。此外，该器件还可用于电机驱动中的低压侧开关，配合控制IC实现精确的功率调节功能。

CET01N65A, STW01N65M5, FQA01N65S, KSB01N65Y