时间：2025/9/1 10:36:41
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IS61WV1288EEBLL-10TLI 是一颗由Integrated Silicon Solution（ISSI）公司制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM），容量为128K x 8位，即总共1M位的存储空间。这款SRAM属于高速CMOS类型，适用于需要快速读写操作的场景。该器件采用低功耗设计，适合用于便携式设备和对功耗敏感的应用。
容量：128K x 8位
组织方式：1M位，以128K地址x8位的方式组织
电源电压：3.3V
访问时间：10ns
封装类型：TSOP
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
IS61WV1288EEBLL-10TLI具有高速访问时间，仅为10ns，这使得它能够在高频系统中使用，确保了快速的数据读写性能。
它的工作电压为3.3V，符合低电压操作标准，有助于降低整体功耗。此外，该SRAM器件采用CMOS技术，具有较高的抗干扰能力和稳定性。
该器件符合工业级温度规范，能够在-40°C至+85°C的温度范围内稳定运行，适用于各种严苛环境下的应用。
其TSOP封装形式有助于减小PCB板的占用空间，适合高密度电路设计。
IS61WV1288EEBLL-10TLI适用于需要高速数据存储和低功耗特性的系统，如通信设备、网络设备、工业控制系统、图像处理设备以及汽车电子系统等。其广泛的应用场景使其成为许多嵌入式系统和实时系统中的理想选择。
IS61LV1288-10TLI, CY62148EVLL-45ZE3, IDT71V128SA10PFG
