J190N65G3E是一款功率MOSFET晶体管,通常用于高功率和高频应用。该器件基于第三代技术,具备低导通电阻和快速开关特性,使其在电源管理和功率转换系统中表现出色。该器件采用标准的TO-247封装形式,适用于各种工业级和汽车级应用。
类型: N沟道MOSFET
漏源电压(Vds): 650V
漏极电流(Id): 19A
导通电阻(Rds(on)): 0.19Ω
栅极电荷(Qg): 67nC
最大工作温度: 150°C
封装类型: TO-247
J190N65G3E MOSFET具有多项先进的技术特性,包括低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗并提高能效。此外,该器件的栅极电荷(Qg)较低,能够实现更快的开关速度,从而减少开关损耗,适用于高频操作。J190N65G3E还具备出色的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行,适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。其封装设计提供了良好的散热性能,有助于在高功率应用中保持稳定的工作温度。该器件还具备过载和短路保护能力,增强了系统的安全性。此外,J190N65G3E的结构优化了电磁干扰(EMI)性能,有助于减少系统中的噪声和干扰,从而提高整体性能和可靠性。
J190N65G3E MOSFET广泛应用于各种高功率电子设备和系统中,例如电源供应器、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及工业自动化设备。此外,该器件也适用于新能源领域,如太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及电池管理系统(BMS)。在汽车电子方面,J190N65G3E可用于车载充电器(OBC)、电驱系统和高压配电模块。其优异的性能和可靠性也使其成为高端消费类电子产品中电源管理模块的理想选择。由于其高频开关特性和低损耗,J190N65G3E也常用于开关电源(SMPS)和LED照明驱动电路中。
IPP190N65R3G3E