时间：2025/5/19 11:06:32
阅读：6
DMN4800LSSQ 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用超小型 SOT-23 封装，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于便携式设备、电池管理系统以及各种高效能开关电路中。
DMN4800LSSQ 的主要特点是其在低电压下的高效率性能表现。由于其低 Rds(on) 和优化的开关速度设计，它能够在高频开关应用中减少功率损耗并提高整体效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：2.5A
栅极阈值电压：1.8V~3.6V
导通电阻：0.17Ω（典型值，Vgs=4.5V）
总功耗：420mW
工作温度范围：-55℃~150℃
DMN4800LSSQ 的关键特性包括以下几点：
1. 超低导通电阻确保了更高的系统效率，尤其适用于电池供电设备。
2. 采用 SOT-23 封装，节省空间且易于集成到紧凑型设计中。
3. 高速开关能力使其非常适合 DC/DC 转换器、负载开关和其他高频应用。
4. 低栅极电荷简化驱动电路设计，同时减少了开关损耗。
5. 工作温度范围广，适合多种环境条件下的使用。
DMN4800LSSQ 广泛应用于以下领域：
1. 手机、平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. 各类 DC/DC 转换器和电源管理模块。
3. 开关模式电源（SMPS）及 LED 照明驱动电路。
4. 电池保护和充电管理电路。
5. 数据通信接口保护和信号切换。
DMN2990USQ
DMN3026USM
AO3400
