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IS61WV102416FBLL-10T2LI 发布时间 时间:2025/9/1 8:43:42 查看 阅读:9

IS61WV102416FBLL-10T2LI 是一款由Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片的存储容量为1Mbit(1024K x 16位),采用高性能CMOS工艺制造,适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。其封装形式为54引脚FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),具有良好的可靠性和稳定性。

参数

容量:1Mbit(1024K x 16)
  访问时间:10ns
  工作电压:2.3V 至 3.6V
  封装类型:54引脚FBGA
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据宽度:16位
  最大工作电流:180mA(典型值)
  待机电流:10mA(最大)
  接口类型:异步

特性

IS61WV102416FBLL-10T2LI SRAM芯片具有多项优异的性能特性。首先,它的高速访问时间为10ns,能够满足对数据读写速度要求较高的应用场景,如网络设备、工业控制、图像处理等。其采用的高性能CMOS工艺不仅确保了芯片的高速运行,还有效降低了功耗,使其在待机状态下仅消耗极低的电流(最大10mA),非常适合对功耗敏感的设计。
  此外,该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,具备良好的电压兼容性,可以在多种电源环境下稳定工作。封装形式为54引脚FBGA,这种封装方式不仅节省空间,还具有良好的散热性能和电气特性,适用于高密度PCB设计。芯片支持异步操作,具有独立的地址和数据总线,方便与各种微控制器和FPGA等主控芯片进行接口连接。
  在可靠性方面,IS61WV102416FBLL-10T2LI通过了严格的工业级测试,支持-40°C至+85°C的宽温度范围工作,确保在恶劣环境下依然能够保持稳定运行。其具备较强的抗干扰能力,适合应用于工业自动化、通信设备、汽车电子等高可靠性要求的领域。

应用

IS61WV102416FBLL-10T2LI SRAM芯片广泛应用于对数据存储速度和稳定性要求较高的嵌入式系统。例如,它可用于工业控制设备中的缓存存储器,以提高系统运行效率;也可作为FPGA或微处理器的外部存储器,用于高速数据缓冲和临时存储。此外,该芯片还适用于网络设备、路由器、交换机等通信产品,以确保数据的快速存取和稳定传输。在汽车电子系统中,如车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS),该芯片也可作为高速缓存使用。由于其低功耗特性,IS61WV102416FBLL-10T2LI也适用于便携式设备和电池供电系统中的高速存储需求。

替代型号

IS61WV102416EBLL-10T2LI, CY62148EV30LL-55B3C, IDT71V416S08YG, IS64WV25616EDBLL-10B4LI

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IS61WV102416FBLL-10T2LI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格108 : ¥85.92963管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 双端口,异步
  • 存储容量16Mb
  • 存储器组织1M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页10ns
  • 访问时间10 ns
  • 电压 - 供电2.4V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商器件封装54-TSOP II