时间：2025/9/1 8:43:42
阅读：23
IS61WV102416FBLL-10T2LI 是一款由Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片的存储容量为1Mbit（1024K x 16位），采用高性能CMOS工艺制造，适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。其封装形式为54引脚FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），具有良好的可靠性和稳定性。
容量：1Mbit（1024K x 16）
访问时间：10ns
工作电压：2.3V 至 3.6V
封装类型：54引脚FBGA
温度范围：-40°C 至 +85°C
数据宽度：16位
最大工作电流：180mA（典型值）
待机电流：10mA（最大）
接口类型：异步
IS61WV102416FBLL-10T2LI SRAM芯片具有多项优异的性能特性。首先，它的高速访问时间为10ns，能够满足对数据读写速度要求较高的应用场景，如网络设备、工业控制、图像处理等。其采用的高性能CMOS工艺不仅确保了芯片的高速运行，还有效降低了功耗，使其在待机状态下仅消耗极低的电流（最大10mA），非常适合对功耗敏感的设计。
此外，该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，具备良好的电压兼容性，可以在多种电源环境下稳定工作。封装形式为54引脚FBGA，这种封装方式不仅节省空间，还具有良好的散热性能和电气特性，适用于高密度PCB设计。芯片支持异步操作，具有独立的地址和数据总线，方便与各种微控制器和FPGA等主控芯片进行接口连接。
在可靠性方面，IS61WV102416FBLL-10T2LI通过了严格的工业级测试，支持-40°C至+85°C的宽温度范围工作，确保在恶劣环境下依然能够保持稳定运行。其具备较强的抗干扰能力，适合应用于工业自动化、通信设备、汽车电子等高可靠性要求的领域。
IS61WV102416FBLL-10T2LI SRAM芯片广泛应用于对数据存储速度和稳定性要求较高的嵌入式系统。例如，它可用于工业控制设备中的缓存存储器，以提高系统运行效率；也可作为FPGA或微处理器的外部存储器，用于高速数据缓冲和临时存储。此外，该芯片还适用于网络设备、路由器、交换机等通信产品，以确保数据的快速存取和稳定传输。在汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS），该芯片也可作为高速缓存使用。由于其低功耗特性，IS61WV102416FBLL-10T2LI也适用于便携式设备和电池供电系统中的高速存储需求。
IS61WV102416EBLL-10T2LI, CY62148EV30LL-55B3C, IDT71V416S08YG, IS64WV25616EDBLL-10B4LI
