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IS61QDPB42M36A2-550B4L 发布时间 时间:2025/12/28 18:05:30 查看 阅读:24

IS61QDPB42M36A2-550B4L 是一颗由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司生产的高速、低功耗的双端口SRAM(静态随机存取存储器)芯片。该芯片具有高性能的存储解决方案,广泛应用于网络设备、通信系统、工业控制、嵌入式系统等领域。该型号的SRAM提供了36位数据总线宽度,容量为42Mbit(1M x 36),并支持同步操作,使其适用于需要高速数据访问的场合。IS61QDPB42M36A2-550B4L采用BGA封装,适用于工业级温度范围,确保其在各种工作环境下的稳定性和可靠性。

参数

容量:42Mbit
  组织结构:1M x 36
  封装类型:BGA
  工作温度范围:工业级 (-40°C 至 +85°C)
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  最大访问时间:550ps
  最大频率:180MHz
  数据总线宽度:36位
  双端口功能:支持两个独立端口同时读写操作
  功耗:低功耗设计
  时钟频率:支持同步时钟输入

特性

IS61QDPB42M36A2-550B4L 是一款高性能的双端口SRAM芯片,其核心优势在于高速访问和低功耗设计。该芯片采用同步架构,支持高达180MHz的时钟频率,能够满足高速数据处理和实时应用的需求。其双端口设计允许两个独立的主机或处理器同时访问不同的数据地址,极大提升了系统的并发处理能力。此外,该芯片的低功耗特性使其适用于对能耗敏感的嵌入式系统和便携式设备。
  IS61QDPB42M36A2-550B4L 采用先进的CMOS工艺制造,确保了良好的电气性能和稳定性。其工作电压范围为2.3V至3.6V,具有良好的兼容性,适用于多种电源环境。封装方面,该芯片采用BGA封装形式,节省PCB空间,并提高了封装密度和可靠性,适用于高密度电路板设计。
  在数据完整性方面,该芯片内置了多种保护机制,如地址线和数据线的同步控制、写保护功能等,以防止数据在传输过程中发生错误。此外,该芯片支持多种工作模式,包括读写操作模式、待机模式等,用户可以根据具体需求灵活配置芯片的工作状态。

应用

IS61QDPB42M36A2-550B4L 双端口SRAM芯片广泛应用于需要高速数据缓存和共享内存的系统中。例如,在网络设备中,该芯片可用于路由器和交换机的数据缓冲区,提高数据包处理速度和系统响应能力。在通信系统中,该芯片常用于基站、无线接入设备和光通信模块中的临时数据存储和高速缓存。
  此外,该芯片还适用于工业自动化设备、工业计算机、测试测量仪器等高性能嵌入式系统,用于存储关键数据和程序代码。由于其低功耗特性和宽温工作范围,IS61QDPB42M36A2-550B4L 也非常适合用于恶劣环境下的远程监控系统和嵌入式控制器中。
  在高端图形处理和视频处理设备中,该芯片可用于帧缓存或高速数据交换,提升图像处理效率和系统整体性能。另外,该芯片还可用于高速数据采集系统、雷达系统、医疗成像设备等对实时性要求极高的应用场合。

替代型号

IS61QDPB42M36A2-550B4L的替代型号包括IS61QDPB42M36A2-550BLL、IS61LV256AL-10B4I、IS64LV1000BLL-10B4BI、IDT70V631S133B8GI、IDT70V6389S133B8GI等。

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IS61QDPB42M36A2-550B4L参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 四端口,同步
  • 存储容量72Mb
  • 存储器组织2M x 36
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率550 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.71V ~ 1.89V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳165-LBGA
  • 供应商器件封装165-LFBGA(13x15)