时间：2025/12/26 23:46:25
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1KSMB110A是一款由ONSEMI（安森美）生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），采用SMB（DO-214AA）封装。该器件专为保护敏感电子电路免受瞬态高能量脉冲的损害而设计，例如静电放电（ESD）、电感负载切换、雷击感应和其它瞬态过电压事件。1KSMB110A属于单向TVS二极管，意味着其工作特性类似于一个单向齐纳二极管，在正向导通和反向击穿方面具有非对称响应，适用于直流电路中的电压箝位保护。该器件的最大反向关断电压（VRWM）为110V，表示在正常工作条件下，它可以承受高达110V的反向电压而不发生显著漏电流或击穿。当瞬态电压超过其击穿电压（通常略高于VRWM）时，TVS迅速进入雪崩击穿状态，将电压钳制在一个安全水平，并将大量瞬态电流分流到地，从而保护下游电路元件。1KSMB110A的峰值脉冲功率可达600W（按照8/20μs电流波形测试），表明其具备较强的瞬态能量吸收能力，适合用于中等功率级别的保护场景。由于其SMB封装具有较小的体积和良好的热性能，1KSMB110A广泛应用于工业控制、电源系统、通信设备、消费类电子产品以及汽车电子等领域。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代电子制造的需求。
类型：单向TVS二极管
封装：SMB（DO-214AA）
反向关断电压（VRWM）：110 V
击穿电压（VBR）：122 V @ 1 mA
最大钳位电压（VC）：170 V @ 3.53 A
峰值脉冲电流（IPP）：3.53 A
峰值脉冲功率（PPPM）：600 W
漏电流（IR）：1 μA Max @ 110 V
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
引线温度（焊接，10秒）：300°C
1KSMB110A的核心特性之一是其高效的瞬态电压抑制能力。作为一款单向TVS二极管，它在正常工作状态下呈现高阻抗，仅允许极低的漏电流通过（最大1μA），确保不会影响被保护电路的正常运行。一旦电路中出现瞬态过电压，例如静电放电或开关瞬变，电压超过其击穿阈值（典型122V），器件会迅速进入低阻态，启动雪崩击穿机制，将瞬态电流有效分流至地。其响应时间极快，通常在皮秒级，远快于传统的过压保护器件如压敏电阻或保险丝，能够在电压上升初期就完成箝位动作，防止敏感半导体器件（如IC、MOSFET、微控制器等）因过压而损坏。这种快速响应和高效能量耗散能力使其成为高可靠性系统中的关键保护元件。
另一个重要特性是其600W的峰值脉冲功率处理能力。该额定值基于标准的8/20μs电流波形测试条件，代表了器件在短时间内可安全吸收并耗散的最大瞬态能量。这一功率等级适用于大多数工业和消费类应用中的浪涌保护需求。结合其170V的最大钳位电压，在3.53A的峰值电流下仍能将电压限制在相对安全的范围内，有效降低下游电路承受的应力。此外，SMB封装提供了良好的热传导性能和机械稳定性，便于自动化贴片生产，同时占用PCB空间较小，适合高密度布局的设计要求。
1KSMB110A还具备宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），使其能够在极端环境条件下稳定工作，包括高温工业环境或低温户外设备。器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准（部分型号版本），因此也可用于汽车电子系统的电源线或信号线保护。其结构采用硅PN结技术，具有重复性和一致性高的优点，经过多次瞬态冲击后性能衰减小，寿命长。总体而言，1KSMB110A以其高可靠性、紧凑封装和优异电气性能，成为中高压直流电路中理想的过压保护解决方案。
1KSMB110A广泛应用于需要中等功率瞬态保护的各种电子系统中。在工业控制领域，常用于PLC输入/输出模块、继电器驱动电路和传感器接口的过压防护，防止因电感负载突然断开产生的反电动势损坏控制芯片。在电源管理系统中，该器件可用于直流电源输入端口，抵御来自电网波动、雷击感应或热插拔引起的电压尖峰，保护后续的DC-DC转换器、稳压器和储能元件。在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，1KSMB110A可用于保护以太网端口、串行通信线路（RS-232/RS-485）等信号通道，抑制由于电缆耦合引入的瞬态干扰。消费类电子产品，如电视、机顶盒和智能家居设备的电源适配器或主板供电网络，也常采用此类TVS进行ESD和浪涌保护，提升产品整体可靠性与使用寿命。在汽车电子方面，尽管更高功率的应用可能需要更大封装的TVS，但1KSMB110A仍可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块或辅助电源电路的次级保护。此外，在医疗设备、测试仪器和安防监控系统中，对电路稳定性和安全性要求较高，使用1KSMB110A可以有效提升系统抗干扰能力和故障容限。其表面贴装特性也便于实现自动化生产，满足现代电子产品大批量制造的需求。
SMBJ110A
SMC110A
P6KE110A
