时间：2025/9/22 9:00:10
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MB672704是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的高性能、低功耗的CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该器件属于快速页面模式（Fast Page Mode, FPM DRAM）系列，广泛应用于20世纪90年代至21世纪初的个人计算机、工作站、嵌入式系统以及各种需要中等容量随机存储的应用场合。MB672704采用标准的异步DRAM架构，具有较高的数据存取速度和良好的稳定性，适用于需要频繁读写操作的系统环境。该芯片通常以SOJ（Small Outline J-leaded Package）或TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式提供，便于在高密度PCB上进行表面贴装。作为一款早期主流的DRAM产品，MB672704在当时代表了较高的集成度和可靠性，其设计兼顾了性能与成本，是许多经典计算设备中的关键存储组件之一。尽管随着技术的发展，FPM DRAM已被更先进的EDO DRAM、SDRAM及后续的DDR系列所取代，但MB672704仍在一些老旧工业设备、通信系统和维护项目中继续使用，具有一定的历史价值和技术参考意义。
型号：MB672704
制造商：Fujitsu
存储类型：异步FPM DRAM
存储容量：64 Mbit (4M x 16位)
电源电压：5V ± 0.5V
工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
封装形式：54-pin SOJ 或 TSOP-II
访问时间：典型值为50ns、60ns或70ns（根据速度等级）
刷新周期：8ms（标准）
刷新模式：CAS Before RAS (CBR) 或 自刷新（部分版本支持）
数据总线宽度：16位（x16配置）
地址总线：复用方式，通过行地址和列地址分时输入
最大工作频率：约33 MHz（受限于访问时间）
功耗：典型运行功耗约为300mW–500mW，待机状态下更低
MB672704具备典型的快速页面模式（FPM DRAM）操作特性，允许在同一行（页）内进行连续的列地址访问而无需重复激活行地址，从而显著提高连续数据读写的效率。这种机制特别适用于图形显示缓冲、块数据传输和内存密集型任务，在没有更高速缓存辅助的情况下仍能提供相对高效的内存带宽。该芯片内部采用动态存储单元结构，每个存储单元由一个晶体管和一个电容组成，因此需要定期刷新以维持数据完整性。其刷新控制可通过外部控制器实现标准的RAS-only刷新或更高效的CAS before RAS（CBR）模式，减少CPU干预并提升系统整体性能。
在电气特性方面，MB672704设计用于5V供电环境，兼容TTL电平接口，能够无缝集成到当时的主流微处理器系统中，如Intel 80486、Pentium系列以及各类嵌入式控制器。其地址和数据引脚采用多路复用技术，减少了引脚数量，有助于缩小封装尺寸并降低系统布线复杂度。此外，该器件支持突发读/写操作模式，在页面命中条件下可实现多个连续数据的快速输出，进一步提升了数据吞吐能力。
MB672704还具备良好的抗噪能力和信号稳定性，适合在工业环境或电磁干扰较强的场合下稳定运行。虽然不具备现代同步DRAM的时钟对齐机制，但其异步控制协议简单明了，易于硬件设计和调试，尤其适合教育用途或对时序要求不极端的应用场景。尽管目前已停产且不再用于新产品设计，但在维修、替换老旧设备内存模块时，MB672704的技术资料和时序规范仍具有重要参考价值。
MB672704主要用于上世纪90年代中后期的台式计算机和笔记本电脑中的主内存模块，尤其是在采用FPM DRAM标准的SIMM（单列直插内存模块）或DIMM（双列直插内存模块）中广泛应用。它也常见于当时的工作站、服务器、打印机控制器、网络交换机和路由器等通信设备中，作为临时数据缓存或程序运行空间。由于其16位数据宽度和4M x 16的组织结构，该芯片非常适合构建32位或64位总线系统的内存阵列，例如在386、486及早期Pentium系统中，常将多个MB672704并联使用以满足系统内存需求。
在嵌入式系统领域，MB672704被用于工业控制设备、医疗仪器、测试测量装置以及航空电子设备中，作为实时数据采集和处理的中间存储介质。其稳定的时序响应和成熟的驱动方案使其成为当时工程师首选的通用型DRAM解决方案之一。此外，该芯片也曾用于某些视频监控系统和图像采集卡中，用于暂存帧缓冲数据，支持基本的图像显示与回放功能。
尽管当前主流系统已转向DDR4/DDR5等高速同步DRAM，但MB672704仍在一些遗留系统的维护和升级项目中发挥作用。例如，在铁路信号控制系统、老式数控机床或军用装备的延寿计划中，由于更换整个主板成本高昂或缺乏替代方案，原型号DRAM的替换与兼容性保障显得尤为重要。因此，了解其应用背景和技术细节对于系统维护人员而言依然具有现实意义。
