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B69000 发布时间 时间:2025/5/7 16:54:52 查看 阅读:22

B69000 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效提高系统的效率和可靠性。
  B69000 采用 N 沟道增强型设计,适用于中高压应用环境。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK,确保了良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:9A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极阈值电压:2V~4V
  功耗:117W
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

B69000 具有以下主要特性:
  1. 高耐压能力:额定漏源电压高达 600V,适合多种高压应用场景。
  2. 低导通电阻:在大电流条件下减少功率损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关能力:具备短开关时间和低栅极电荷,可显著降低开关损耗。
  4. 稳定性强:在高温和高电流环境下保持稳定性能。
  5. 良好的热管理:通过优化的封装设计实现高效的散热性能。
  6. 抗雪崩能力:内置保护机制以应对异常情况下的能量冲击。

应用

B69000 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动与控制
  3. DC-DC 转换器
  4. LED 驱动电路
  5. 电池管理系统(BMS)
  6. 工业自动化设备中的功率调节模块
  7. 逆变器及 UPS 系统

替代型号

B75000, IRFZ44N, FQP50N06L

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