时间：2025/9/1 15:41:44
阅读：6
IS61QDP2B251236A-333M3L 是一颗由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）公司生产的高速、低功耗的双端口SRAM（静态随机存取存储器）芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具有高可靠性、高性能的特点，适用于需要高速数据存取和双端口操作的应用场景。这款SRAM芯片具有256K x 36位的存储容量，工作频率高达333MHz，采用同步接口设计，适用于需要高性能存储解决方案的系统。
容量：256K x 36位
类型：同步双端口SRAM
访问时间：3.0ns
频率：333MHz
电源电压：2.3V - 3.6V
封装：165-TQFP
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
IS61QDP2B251236A-333M3L 是一款高性能的同步双端口SRAM，具备两个独立的地址和数据总线，允许两个控制器或处理器同时访问存储器的不同部分，极大地提高了系统的并行处理能力。该芯片的高速访问时间为3.0ns，最大工作频率可达333MHz，能够满足高速缓存、网络交换、通信设备等对实时性要求较高的应用需求。
其低功耗特性使其在高频率运行时仍能保持良好的能效表现，适合用于便携式设备或对功耗敏感的系统。该器件采用2.3V至3.6V宽电压供电，增强了在不同系统环境下的兼容性。封装形式为165-TQFP，便于PCB布局和焊接，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），保证在恶劣环境下的稳定运行。
此外，该芯片内置了高级同步控制逻辑，支持突发模式和自动刷新功能，提升了整体系统的稳定性和效率。IS61QDP2B251236A-333M3L还具有可配置的时钟使能和输出使能控制功能，方便用户根据实际需求进行优化设计。
该芯片广泛应用于需要高速数据存储和双端口访问的嵌入式系统中，例如：高速缓存存储器、通信设备、网络交换机、路由器、图像处理系统、工业控制设备以及测试测量仪器等。由于其优异的性能和可靠性，IS61QDP2B251236A-333M3L 也非常适合用于需要实时数据处理的场合，如视频采集与处理、数据缓冲、协议转换等场景。
IS61QDP2B251236A-333M4I、IS61LV25616-10T、CY7C026B-5VC、IDT70V28S133PFG
