时间：2025/5/7 12:01:28
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IS61QDB24M18A-300B4LI 是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM），采用先进的CMOS技术制造。该芯片具有高可靠性和稳定性，适用于需要快速数据访问和低延迟的应用场景。其封装形式为BGA（球栅阵列封装），具备优良的电气性能和散热特性。
该型号是同步 burst SRAM 系列中的一员，支持突发模式操作，可显著提高系统性能。此外，它还提供了较低的功耗待机模式，以满足便携式设备和节能应用的需求。
容量：24Mb
组织结构：1,048,576 x 18
内核电压：1.8V ± 0.1V
I/O电压：1.8V 或 3.3V
工作频率：最高300MHz
访问时间：3.9ns
封装类型：BGA
引脚数：184
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保持时间：无限期（只要电源供电正常）
刷新：无需刷新
1. 支持同步burst模式，允许在单个时钟周期内传输多个数据字。
2. 内置自动功率管理功能，在空闲状态时可进入低功耗模式。
3. 提供全面的数据保护机制，确保在各种环境下的数据完整性。
4. 高速读写能力，支持高达300MHz的工作频率，适合高性能计算和实时处理任务。
5. 封装紧凑，引脚布局优化，便于PCB设计和布线。
6. 兼容多种电压标准，增强了系统的灵活性和适应性。
7. 宽工作温度范围，能够适应恶劣的工业和户外环境。
IS61QDB24M18A-300B4LI 广泛应用于对速度和可靠性要求较高的领域，包括但不限于：
1. 网络通信设备，如路由器、交换机和防火墙。
2. 工业控制设备，例如PLC控制器和自动化系统。
3. 嵌入式系统，如图形处理器、视频处理器和其他多媒体设备。
4. 医疗仪器，如超声波设备和CT扫描仪。
5. 汽车电子系统，包括信息娱乐系统和驾驶辅助系统。
6. 测试测量仪器，如示波器和信号发生器。
IS61QDB24M18A-250B4LI
IS61QDV24M18A-300B4LI
ISSI IS61WV24M18AL-30B4
