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IS61QDB21M36-250M3 发布时间 时间:2025/9/1 13:44:59 查看 阅读:6

IS61QDB21M36-250M3 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片属于高性能的同步双端口SRAM系列,主要用于需要高速数据访问和高可靠性的应用场合。IS61QDB21M36-250M3 采用先进的CMOS工艺制造,具有较高的数据吞吐能力和较低的功耗特性。该SRAM芯片支持同步读写操作,并具有独立的时钟控制,适用于高性能计算、网络设备、通信系统和工业控制等领域。

参数

容量:256K x 36位
  组织方式:256K地址,每个地址36位数据
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:165引脚 BGA
  访问时间:250MHz
  时钟频率:250MHz
  工作模式:同步模式
  输入/输出类型:3.3V兼容
  功耗:典型电流约150mA(待机模式下电流约10mA)

特性

IS61QDB21M36-250M3 SRAM芯片采用高性能的CMOS技术,具有出色的稳定性和低功耗表现。该芯片的同步双端口架构允许两个独立的端口同时访问存储器,提高了系统的数据吞吐能力。其高速时钟频率可达250MHz,适用于对数据传输速率有较高要求的应用场景。此外,该芯片的输入和输出引脚均支持3.3V电压标准,确保与大多数现代逻辑电路的兼容性。
  该SRAM芯片还具有低延迟和高可靠性的特点,适合在要求实时响应的系统中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,使其能够在工业级环境下稳定运行。IS61QDB21M36-250M3的封装为165引脚BGA,适合在空间有限的电路板上使用,同时提供良好的散热性能。
  在功能方面,该芯片支持多种工作模式,包括读写同步模式、突发模式和自动刷新模式,从而为不同的系统设计提供灵活的配置选项。其内置的控制逻辑可以有效减少外部控制器的负担,提高系统的整体效率。

应用

IS61QDB21M36-250M3 SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和处理能力的电子系统中。典型应用包括高性能嵌入式处理器、网络交换机和路由器、通信设备、图像处理系统、测试测量仪器以及工业自动化控制系统等。由于其低功耗和高可靠性,该芯片也非常适合用于需要长时间稳定运行的工业和通信设备中。

替代型号

IS61QDB21M36-250T、IS61QDB21M36-280M、IS61QDB21M36-300M

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IS61QDB21M36-250M3参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量36 Mbit
  • 组织1 M x 36
  • 访问时间4 ns
  • Supply Voltage - Max1.89 V
  • Supply Voltage - Min1.71 V
  • 最大工作电流700 mA
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体BGA-165
  • 封装Tray
  • 接口LVTTL
  • 最大时钟频率250 MHz
  • 端口数量2
  • 工厂包装数量105
  • 类型Synchronous