时间：2025/9/1 13:44:59
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IS61QDB21M36-250M3 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片属于高性能的同步双端口SRAM系列，主要用于需要高速数据访问和高可靠性的应用场合。IS61QDB21M36-250M3 采用先进的CMOS工艺制造，具有较高的数据吞吐能力和较低的功耗特性。该SRAM芯片支持同步读写操作，并具有独立的时钟控制，适用于高性能计算、网络设备、通信系统和工业控制等领域。
容量：256K x 36位
组织方式：256K地址，每个地址36位数据
电源电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：165引脚 BGA
访问时间：250MHz
时钟频率：250MHz
工作模式：同步模式
输入/输出类型：3.3V兼容
功耗：典型电流约150mA（待机模式下电流约10mA）
IS61QDB21M36-250M3 SRAM芯片采用高性能的CMOS技术，具有出色的稳定性和低功耗表现。该芯片的同步双端口架构允许两个独立的端口同时访问存储器，提高了系统的数据吞吐能力。其高速时钟频率可达250MHz，适用于对数据传输速率有较高要求的应用场景。此外，该芯片的输入和输出引脚均支持3.3V电压标准，确保与大多数现代逻辑电路的兼容性。
该SRAM芯片还具有低延迟和高可靠性的特点，适合在要求实时响应的系统中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，使其能够在工业级环境下稳定运行。IS61QDB21M36-250M3的封装为165引脚BGA，适合在空间有限的电路板上使用，同时提供良好的散热性能。
在功能方面，该芯片支持多种工作模式，包括读写同步模式、突发模式和自动刷新模式，从而为不同的系统设计提供灵活的配置选项。其内置的控制逻辑可以有效减少外部控制器的负担，提高系统的整体效率。
IS61QDB21M36-250M3 SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和处理能力的电子系统中。典型应用包括高性能嵌入式处理器、网络交换机和路由器、通信设备、图像处理系统、测试测量仪器以及工业自动化控制系统等。由于其低功耗和高可靠性，该芯片也非常适合用于需要长时间稳定运行的工业和通信设备中。
IS61QDB21M36-250T、IS61QDB21M36-280M、IS61QDB21M36-300M
